[實用新型]一種DFN封裝

有效

• 申請號: 201721294305.3
• 申請日: 2017-10-09
• 公開（公告）號: CN207217511U
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 鄭石磊;劉衛衛;鄭振軍
• 申請（專利權）人: 浙江東和電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及電子封裝領域，更具體地說它涉及一種DFN封裝。

背景技術

現階段MOS管封裝內阻相對較高，散熱差。利用新型的超薄DFN封裝結構可以大大降低內阻，散熱性能得到大幅度提升，應用領域更為廣泛。

目前，現有技術中申請號為申請公布號為 CN102842550A的中國專利文件公開了一種功率MOSFET芯片的DFN封裝結構，其通過設置散熱區然后在散熱區與芯片之間設置軟焊料層連接從而將芯片上熱量導出散熱。

該現有技術主要通過與外界的環境接觸進行散熱，但是該現有技術的散熱結構與外界接觸的面積有限因此散熱性能較為一般。

實用新型內容

針對現有技術存在的不足，本實用新型的目的在于提供一種DFN封裝，其優勢在于能夠元器件進行更有效的散熱。

為實現上述目的，本實用新型提供了如下技術方案：一種DFN封裝，包括芯片，芯片連接有將其包裹的絕緣膠層，所述芯片一側連接有散熱片，所述散熱片的一側與外部環境接觸，所述散熱片靠近芯片的一面上固定連接有四個由導熱材料制成的包裹槽，所述包裹槽將芯片的四角包裹。

通過采用上述技術方案，散熱片靠近芯片的一面上連接有四個具有良好導熱性能的包裹槽將芯片的四角包裹，能夠將芯片與散熱片更加牢固的連接，使得兩者不容易分離，因為包裹槽具有較好的有散熱性能，因此其能夠將芯片工作時產生的熱量導向散熱片，從而將芯片上的熱量更加高效的傳導至散熱片，增強散熱性能。

本實用新型進一步設置為：所述絕緣膠層中設置有被絕緣膠層完全包裹的導熱片，所述導熱片由導熱材料制成并且與四個包裹槽接觸。

通過采用上述技術方案，在絕緣膠層中設置導熱片，因為所述導熱片由導熱材料制成因此能夠通過包裹槽將芯片上產生的熱量傳導至導熱片中分散；因為導熱片與散熱片設置在芯片的兩側并且通過包裹槽連接，因此導熱片、散熱片與包裹槽連接形成的結構正好將芯片包裹在其中，對芯片進行加強保護。

本實用新型進一步設置為：所述導熱片靠近芯片的一面以及其相對面上設置有導熱凹槽。

通過采用上述技術方案，導熱凹槽能夠將芯片上傳導來的熱量更均勻的分散至絕緣膠層中，并且導熱凹槽增加了導熱片與絕緣膠層的接觸面積使得兩者連接更為牢固，更不容易脫離。

本實用新型進一步設置為：所述絕緣膠層遠離芯片的一側上開設有連續的散熱槽。

通過采用上述技術方案，在絕緣膠層遠離芯片的一側上開設有連續的散熱槽，增加了絕緣膠層與外界的接觸面積，從而增強了元器件的散熱性能。

本實用新型進一步設置為：所述導熱片與外界接觸的一面上設置有散熱凸點。

通過采用上述技術方案，在導熱片與外界接觸的一面上設置有散熱凸點增加了散熱片與外界環境的接觸面積，從而增強了元器件的散熱性能。

本實用新型進一步設置為：所述散熱片上固定有連接件，所述連接片穿過絕緣膠層固定連接于散熱片與導熱片。

通過采用上述技術方案，設置連接件一端與散熱片固定連接，另一端與導熱片固定連接，從而將散熱片與導熱片更牢固的連接至一起。

綜上所述，本實用新型具有以下有益效果：1、通過增大各個散熱結構與外界環境的接觸面積，從而增強了對芯片的散熱性能；2、通過設置包裹槽將芯片的四個角包裹，并且在包裹槽的兩側設置散熱片以及導熱片，能夠將芯片包圍在散熱片及導熱片之間，從而增強對芯片的保護。

附圖說明

圖1是本實施例的整體結構示意圖；

圖2是本實施例的爆炸結構示意圖；

圖3是本實施例的另一個視角的整體結構示意圖。

附圖標記說明：1、芯片；2、絕緣膠層；3、散熱片；4、引腳；5、包裹槽；6、側板；7、L形板；8、導熱片；9、導熱凹槽；10、散熱槽；11、散熱凸點；12、連接件。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型作進一步詳細說明。

本實施例公開了一種DFN封裝，如圖1、2所示，包括芯片1，芯片1外設置有絕緣膠層2將其包裹，芯片1的一側連接有與其貼合的金屬散熱片3，絕緣膠層2被散熱片3包裹僅留下遠離芯片1的一面與外界接觸，芯片1上兩側連接有用于與外界電路電連接的引腳4。