[實用新型]動態隨機存取存儲器陣列及其版圖結構有效
| 申請號： | 201721293144.6 | 申請日： | 2017-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN207265052U | 公開（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 睿力集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 動態 隨機存取存儲器 陣列 及其 版圖 結構 | ||
1.一種動態隨機存取存儲器陣列版圖結構，包括多個配置在半導體襯底中的隔離結構、有源區及字線，所述隔離結構形成于所述有源區之間；
所述有源區和所述隔離結構位于所述半導體襯底的陣列區域中，所述陣列區域包括多排區域，所述多排區域的每一排皆包括多個所述有源區，且所述多排區域的延伸方向垂直于所述字線的延伸方向，所述有源區在相鄰排區域中的旋轉傾斜方向為不相同，且每一所述字線橫跨所述多排區域的各一個所述有源區。
2.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器陣列版圖結構，其特征在于，所述字線具有相同間距。
3.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器陣列版圖結構，其特征在于，相對于所述多排區域的延伸方向，所述多排區域內所述有源區的旋轉傾斜角度的夾角絕對值為銳角。
4.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器陣列版圖結構，其特征在于，所述每個有源區呈長條狀，在相鄰排區域之間的所述有源區為交錯排列。
5.如權利要求4所述的動態隨機存取存儲器陣列版圖結構，其特征在于，在相同排區域中的所述有源區為平行排列且具有相同間距。
6.如權利要求1至5中任一項所述的動態隨機存取存儲器陣列版圖結構，其特征在于，還包括位線，形成于所述半導體襯底上方，且所述位線的延伸方向同向于所述多排區域的延伸方向。
7.一種動態隨機存取存儲器陣列，其特征在于，包括：
半導體襯底；
有源區和隔離結構，位于所述半導體襯底的陣列區域中，所述隔離結構隔離相鄰的所述有源區，所述陣列區域包括多排區域，所述多排區域的每一排皆包括多個所述有源區，所述有源區在相鄰排區域中的旋轉傾斜方向為不相同；以及
字線，形成于所述半導體襯底中，且每一所述字線橫跨所述多排區域的各一個所述有源區。
8.如權利要求7所述的動態隨機存取存儲器陣列，其特征在于，所述字線具有相同間距。
9.如權利要求7所述的動態隨機存取存儲器陣列，其特征在于，相對于所述多排區域的延伸方向，所述多排區域內所述有源區的旋轉傾斜角度的夾角絕對值為銳角。
10.如權利要求7所述的動態隨機存取存儲器陣列，其特征在于，所述每個有源區呈長條狀，在相鄰排區域之間的所述有源區為交錯排列。
11.如權利要求10所述的動態隨機存取存儲器陣列，其特征在于，在相同排區域中的所述有源區為平行排列且具有相同間距。
12.如權利要求7至11中任一項所述的動態隨機存取存儲器陣列，其特征在于，還包括位線，形成于所述半導體襯底上方，且所述位線的延伸方向同向于所述多排區域的延伸方向。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
