[實用新型]一種基于溝槽介質隔離的雙極集成電路芯片

有效

• 申請號: 201721291737.9
• 申請日: 2017-10-01
• 公開（公告）號: CN207705185U
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 李培林
• 申請（專利權）人: 深圳邦基線路板有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

本實用新型公開了一種基于溝槽介質隔離的雙極集成電路芯片，其結構包括基準口、上封裝板、導向孔、隔離板、下封裝板、VCC引腳、GND引腳、RST接入引腳、XTAL接入引腳、XTAL接入引腳、PSEN接入引腳、輸出引腳、備用輸出引腳、接入端子、定位孔、PCB板、大電容、內芯片、電阻，備用輸出引腳設有正極線、負極線、腳跟、腳趾，本實用新型的一種基于溝槽介質隔離的雙極集成電路芯片，通過設有的備用輸出引腳，能在輸出引腳發生故障時替代輸出引腳使用，完整的代替了原先引腳的作用，使數據在傳輸到一半的時候不會發生丟失，使芯片的使用壽命更長，更加節約資源。

技術領域

本實用新型是一種基于溝槽介質隔離的雙極集成電路芯片，屬于雙極集成電路芯片領域。

背景技術

在半導體內，多數載流子和少數載流子兩種極性的載流子（空穴和電子）都參與有源元件的導電，如通常的NPN或PNP雙極型晶體管。以這類晶體管為基礎的單片集成電路，稱為雙極型集成電路。

集成電路是由許多元器件構成的，各個元器件之間往往需要進行電絕緣體——隔離。常用的隔離技術有pn結隔離和介質隔離等。介質隔離是采用SiO2膜來實現隔離的，漏電小、耐壓高，性能優良，但是工藝比較復雜。

現有技術公開了申請號為：201420328719.3的一種基于溝槽介質隔離的雙極集成電路芯片，屬于集成電路設計/制造領域，包括硅襯底，以及依次生長在硅襯底上的埋層、外延層和絕緣層，其中，所述外延層上設有基區、上隔離區、下隔離區和磷橋區，基區的外側環繞設有基區溝槽，上隔離區的內外兩側均環繞設有上隔離溝槽，上述基區溝槽和上隔離溝槽為氧化層/多晶硅/氧化層填充結構的溝槽，所述溝槽槽深2-4微米，槽寬1.8-2.5微米，現有技術的輸出引腳在被大幅度電流擊穿以后會導致集成電路芯片無法傳輸數據，導致整個芯片無法使用，浪費資源。

實用新型內容

針對現有技術存在的不足，本實用新型目的是提供一種基于溝槽介質隔離的雙極集成電路芯片，以解決現有技術的輸出引腳在被大幅度電流擊穿以后會導致集成電路芯片無法傳輸數據，導致整個芯片無法使用，浪費資源的問題。

為了實現上述目的，本實用新型是通過如下的技術方案來實現：一種基于溝槽介質隔離的雙極集成電路芯片，其結構包括基準口、上封裝板、導向孔、隔離板、下封裝板、VCC引腳、GND引腳、RST接入引腳、XTAL接入引腳、XTAL接入引腳、PSEN接入引腳、輸出引腳、備用輸出引腳、接入端子、定位孔、PCB板、大電容、內芯片、電阻：

所述基準口穿過上封裝板表面的右端，所述導向孔嵌在上封裝板表面的左端，所述基準口與導向孔處在同一個水平面上，所述上封裝板水平固定在隔離板的上方，所述下封裝板膠連接在隔離板的下方，所述VCC引腳焊接在下封裝板正面的左端，所述GND引腳水平固定在VCC引腳右側，所述RST接入引腳安裝在GND引腳的右側，所述XTAL接入引腳垂直固定在下封裝板正面的中段，所述XTAL接入引腳水平固定在XTAL接入引腳的右側，所述PSEN接入引腳緊貼在XTAL接入引腳的右側，所述輸出引腳裝設在PSEN接入引腳的右側，所述PCB板安設在下封裝板內部的中心，所述接入端子膠連接在PCB板表面的下方，所述電阻設有兩個以上并且膠連接在PCB板表面的左上角，所述大電容垂直固定在PCB板表面的右端，所述內芯片豎直固定在大電容的上方并且與PCB板電連接；

所述隔離板設有淺溝隔離槽、硅襯底板、柵極、鎢插塞、低層介質層、二氧化硅阻擋層、擴散阻擋層、銅互連線，所述淺溝隔離槽設有四個并且分別穿過在硅襯底板的四個角，所述硅襯底板安設在下封裝板的內部，所述鎢插塞設有兩個并且水平固定在淺溝隔離槽的上方，所述低層介質層垂直焊接在鎢插塞的上方，所述二氧化硅阻擋層并列連接在低層介質層的上方，所述擴散阻擋層垂直固定在二氧化硅阻擋層的上方，所述銅互連線膠連接在擴散阻擋層的上方并且與PCB板內部的電路板電連接；