[實用新型]一種發光二極管陣列結構及顯示裝置有效
| 申請號： | 201721272702.0 | 申請日： | 2017-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN207529934U | 公開（公告）日： | 2018-06-22 |
| 發明（設計）人： | 邢汝博;楊小龍;單奇;王建太 | 申請（專利權）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 065500 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 發光二極管陣列結構 第一基板 顯示裝置 發光二極管芯片 本實用新型 脆性 填充彈性材料 應力釋放層 柔性屏體 包覆 基板 彎折 填充 損傷 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管陣列結構，其特征在于，所述發光二極管陣列結構包括第一基板、形成在所述第一基板上的多個發光二極管，多個發光二極管之間、以及發光二極管與所述第一基板之間填充有彈性材料。
2.根據權利要求1所述的一種發光二極管陣列結構，其特征在于，所述彈性材料包括聚氨酯、硅橡膠或聚酰亞胺。
3.根據權利要求1所述的一種發光二極管陣列結構，其特征在于，所述發光二極管包括電子層、發光層、空穴層以及電極；所述發光層形成于所述電子層和所述空穴層之間。
4.根據權利要求3所述的一種發光二極管陣列結構，其特征在于，所述發光二極管陣列結構還包括形成在所述空穴或電子層上的緩沖層；所述緩沖層形成于所述空穴或電子層上遠離發光層的一側。
5.根據權利要求4所述的一種發光二極管陣列結構，其特征在于，所述緩沖層的材料包括氮化鋁或氮化鎵。
6.根據權利要求1所述的一種發光二極管陣列結構，其特征在于，所述第一基板的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚氨酯、硅橡膠中的一種。
7.根據權利要求1所述的一種發光二極管陣列結構，其特征在于，所述發光二極管陣列結構還包括用于與所述第一基板進行貼合的第二基板，所述第二基板包括光轉換層。
8.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1-7任一所述的發光二極管陣列。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于云谷（固安）科技有限公司，未經云谷（固安）科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721272702.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：光束成像裝置
- 下一篇：一種OLED顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
