[實(shí)用新型]一種發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721272702.0 | 申請日: | 2017-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN207529934U | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邢汝博;楊小龍;單奇;王建太 | 申請(專利權(quán))人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu) 第一基板 顯示裝置 發(fā)光二極管芯片 本實(shí)用新型 脆性 填充彈性材料 應(yīng)力釋放層 柔性屏體 包覆 基板 彎折 填充 損傷 | ||
本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)及顯示裝置,所述發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)包括第一基板、形成在所述第一基板上的多個(gè)發(fā)光二極管,多個(gè)發(fā)光二極管之間、以及發(fā)光二極管與所述第一基板之間填充有彈性材料。本實(shí)用新型公開的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)及顯示裝置,通過在發(fā)光二極管之間、以及發(fā)光二極管與基板之間填充彈性材料,實(shí)現(xiàn)對發(fā)光二極管芯片的包覆,以彈性材料作為柔性屏體彎折過程的應(yīng)力釋放層,可防止脆性的發(fā)光二極管芯片損傷。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)及顯示裝置。
背景技術(shù)
Micro-LED技術(shù)是指在微小尺寸內(nèi)集成高密度LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)陣列的技術(shù),在應(yīng)用至顯示領(lǐng)域時(shí),其可以將像素點(diǎn)距離從毫米級降低至微米級。相比于其他微顯示技術(shù),由于該類顯示設(shè)備自發(fā)光,光學(xué)系統(tǒng)簡單,可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本,同時(shí)兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性。
在實(shí)現(xiàn)過程中,會(huì)存在以下問題:難以保證脆性的LED器件制作柔性面板時(shí)的彎折可靠性。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的在于提出一種發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)及顯示裝置,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型實(shí)施例第一方面提供一種發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu),所述發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)包括第一基板、形成在所述第一基板上的多個(gè)發(fā)光二極管,多個(gè)發(fā)光二極管之間、以及發(fā)光二極管與所述第一基板之間填充有彈性材料。
可選的,所述彈性材料包括聚氨酯、硅橡膠或聚酰亞胺。
可選的,所述發(fā)光二極管包括電子層、發(fā)光層、空穴層以及電極;所述發(fā)光層形成于所述電子層和所述空穴層之間。
可選的,所述發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)還包括形成在所述空穴或電子層上的緩沖層;所述緩沖層形成于所述空穴或電子層上遠(yuǎn)離發(fā)光層的一側(cè)。
可選的,所述緩沖層的材料包括氮化鋁或氮化鎵。
可選的,所述第一基板的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚氨酯、硅橡膠中的一種。
可選的,所述發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)還包括用于與所述第一基板進(jìn)行貼合的第二基板,所述第二基板包括光轉(zhuǎn)換層。
此外,為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型實(shí)施例第二方面提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述的發(fā)光二極管陣列。
本實(shí)用新型實(shí)施例提供的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)及顯示裝置,通過在發(fā)光二極管之間、以及發(fā)光二極管與基板之間填充彈性材料,實(shí)現(xiàn)對發(fā)光二極管芯片的包覆,以彈性材料作為柔性屏體彎折過程的應(yīng)力釋放層,可防止脆性的發(fā)光二極管芯片損傷。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記說明:
第一基板11、發(fā)光二極管12、彈性材料13、電極121、電子層122、124、發(fā)光層123、空穴層124、122、光轉(zhuǎn)換層14。
本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例,參照附圖做進(jìn)一步說明。
具體實(shí)施方式
在本實(shí)用新型的描述中,需要理解的是,術(shù)語中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。此外,術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





