[實(shí)用新型]適宜不同規(guī)格硅晶圓片的保護(hù)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721271454.8
• 申請(qǐng)日: 2017-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN207497300U
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張俊杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海圖雙精密裝備有限公司
• 主分類號(hào): B65D81/03
• 分類號(hào): B65D81/03;B65D85/86
• 代理公司: 北京挺立專利事務(wù)所(普通合伙) 11265
• 代理人: 倪鉅芳

本實(shí)用新型公開了一種適宜不同規(guī)格硅晶圓片的保護(hù)裝置，包含底座，所述底座上層設(shè)置有氣囊層，其特征在于：所述氣囊層上設(shè)置有多個(gè)凹口，所述凹口內(nèi)設(shè)置有氣袋，所述氣袋的口部為椎體結(jié)構(gòu)，所述底座上設(shè)置有氣嘴。該保護(hù)裝置相對(duì)于現(xiàn)有的硅晶圓片保護(hù)盒具有規(guī)格可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及硅晶圓片的包裝，尤其指的是可以匹配多種規(guī)格硅晶圓片的包裝。

背景技術(shù)

硅晶圓片在運(yùn)輸過程中比較脆弱，需要格外保護(hù)。無論是生產(chǎn)過程中對(duì)硅晶圓片的短途運(yùn)輸，還是在長途運(yùn)輸，都需要有符合要求的包裝。為了能夠?qū)杈A片達(dá)到充分的保護(hù)，針對(duì)不同規(guī)格的硅晶圓片會(huì)采用相對(duì)應(yīng)的保護(hù)盒進(jìn)行匹配。硅晶圓片的種類較多，一般會(huì)有2英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等多種規(guī)格，在包裝運(yùn)輸中，就必須對(duì)所有尺寸進(jìn)行匹配。為此，在生產(chǎn)過程中，既會(huì)增加管理的復(fù)雜度，又會(huì)增加生產(chǎn)過程中發(fā)生問題的幾率。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種硅晶圓片的保護(hù)裝置，該裝置能夠適應(yīng)不同規(guī)格硅晶圓片的。

為了能夠解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的一種適宜不同規(guī)格硅晶圓片的保護(hù)裝置，包含底座，所述底座上層設(shè)置有氣囊層，所述氣囊層上設(shè)置有多個(gè)凹口，所述凹口內(nèi)設(shè)置有氣袋，所述氣袋的口部為椎體結(jié)構(gòu)，所述底座上設(shè)置有氣嘴。

上述技術(shù)方案中，所述底座為氣囊底座。

上述技術(shù)方案中，所述凹口之間的距離恒定。

上述技術(shù)方案中，所述氣袋的下部為柱體結(jié)構(gòu)。

上述技術(shù)方案中，以底座中心點(diǎn)為準(zhǔn)，在同一圓周上的凹口為一組，同組凹口下方的底座互相導(dǎo)通，不同組之間的凹口下方的底座不導(dǎo)通，同組凹口下方的底座上均設(shè)置有氣嘴。

本實(shí)用新型的硅晶圓片保護(hù)裝置，可以通過在底座內(nèi)注入空氣，將氣袋逼出凹口，并形成氣柱，從而形成不同規(guī)格的置物腔，匹配不同規(guī)格的硅晶圓片。相對(duì)于現(xiàn)有的硅晶圓片保護(hù)盒具有規(guī)格可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1為硅晶圓片保護(hù)裝置一種實(shí)施方式在正常狀態(tài)下的剖視圖；

圖2為硅晶圓片保護(hù)裝置一種實(shí)施方式在使用狀態(tài)下的剖視圖；

圖3為硅晶圓片保護(hù)裝置一種實(shí)施方式的俯視圖。

具體實(shí)施方式

結(jié)合附圖1至3可知，本實(shí)用新型的適宜不同規(guī)格硅晶圓片的保護(hù)裝置，包含底座1，底座1為中空氣囊結(jié)構(gòu)，在不使用的情況下，可以將底座1壓縮，可以極大的減少保存空間。

所述底座1上設(shè)置有氣囊層2，所述氣囊層2上設(shè)置有多個(gè)凹口3，所述凹口3內(nèi)設(shè)置有氣袋4，所述氣袋4的口部為椎體結(jié)構(gòu)，口部以下為柱體結(jié)構(gòu)。當(dāng)向底座內(nèi)注入空氣時(shí)，由于氣袋4口部是椎體結(jié)構(gòu)，因此，會(huì)被首先頂出凹口3，在氣壓的進(jìn)一步作用下，整個(gè)氣袋4都被頂出凹口3，進(jìn)而形成氣柱隔斷。氣柱隔斷內(nèi)可放置硅圓晶片。

考慮到硅圓晶片的尺寸的規(guī)律，根據(jù)凹口3設(shè)置的方式，可以將凹口3之間的距離選擇在0.8英寸至1.1英寸范圍內(nèi)，選所述凹口3之間的距離恒定。

凹口3的設(shè)定以底座1中心點(diǎn)為基準(zhǔn)，以1英寸的倍數(shù)作為半徑畫圓，凹口3設(shè)置在同半徑的圓上為一組，且同一組至少4個(gè)凹口3，同組凹口3下方的底座1互相導(dǎo)通，不同組之間的凹口3下方的底座1不導(dǎo)通，同組凹口3下方的底座1上均設(shè)置有氣嘴5。