[實用新型]一種新型的超高頻抗金屬電子標簽有效
| 申請號： | 201721260467.5 | 申請日： | 2017-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN207817752U | 公開（公告）日： | 2018-09-04 |
| 發明（設計）人： | 章偉 | 申請（專利權）人： | 舟山麥克斯韋物聯網科技有限公司 |
| 主分類號： | G06K19/077 | 分類號： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 316000 浙江省舟山市定*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 標簽天線 抗金屬電子標簽 超高頻 標簽芯片 本實用新型 陶瓷基板 標簽 電容 天線 抗金屬標簽天線 雙饋電結構 常規設計 封閉回路 感性阻抗 彎曲路徑 阻抗匹配 靈敏度 匹配環 包覆 并聯 加載 外周 場景 輻射 流動 流通 平衡 | ||
1.一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，包括陶瓷基板、標簽天線和標簽芯片，標簽天線包覆于陶瓷基板的外周，通過過孔回流形成封閉回路，其特征在于：在所述標簽天線表面兩側形成凹槽，所述標簽芯片并聯至少一電容，電流經所述標簽天線呈彎曲路徑流通。
2.根據權利要求1所述的一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，其特征在于：所述標簽芯片和電容并排設置于標簽天線中部。
3.根據權利要求2所述的一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，其特征在于：所述標簽芯片和電容并排設置于標簽天線的寬度方向。
4.根據權利要求1所述的一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，其特征在于：所述凹槽向標簽天線中部相對交錯伸出。
5.根據權利要求1所述的一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，其特征在于：所述電容值范圍為3.5pF-6pF。
6.根據權利要求4所述的一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，其特征在于：所述凹槽呈方形、弧形或半圓形。
7.根據權利要求6所述的一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，其特征在于：所述凹槽的長度相同。
8.根據權利要求7所述的一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，其特征在于：所述凹槽長度為3mm-7mm。
9.根據權利要求1所述的一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，其特征在于：在陶瓷基板上表面中間位置設有標簽芯片定位點。
10.根據權利要求9所述的一種新型的超高頻抗金屬電子標簽，其特征在于：所述過孔對稱開設于陶瓷基板的兩側。
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