[實用新型]一種改善氧化硅均勻性的晶舟

有效

• 申請號: 201721252693.9
• 申請日: 2017-09-27
• 公開（公告）號: CN207367941U
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 朱華君;張召;王智
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本實用新型提供了一種改善氧化硅均勻性的晶舟，包括環形舟和梯形舟，所述環形舟和梯形舟均為所述晶舟的水平支撐環；所述晶舟由下到上依次設置至少一個梯形舟和至少一個環形舟；所述梯形舟包括內徑略小于裝載晶圓的半徑的梯形舟水平支撐環；所述環形舟包括環形舟水平支撐環和設置于所述環形舟水平支撐環上表面的石英環形支撐件。本實用新型的晶舟的上半部分為環形舟，可以改善梯形舟頂端膜厚均勻性差的問題；下半部分設計為梯形舟，優化了環形舟底端膜厚的均勻性；這樣將梯形舟與環形舟結合起來，解決了氣體由下往上，由邊緣向中心擴散導致的硅片均勻性差的問題。

技術領域

本實用新型涉及一種半導體設備，尤其涉及一種改善氧化硅均勻性的晶舟。

背景技術

現在半導體工藝中使用的低壓高溫氧化硅爐管有兩種晶舟分別為梯形舟和環形舟，兩種晶舟的主要差異在于環形舟上方有環形石英，使用梯形舟也就是普通晶舟作業時由于氣體由下往上，所以硅片中心的膜厚由下往上越來越薄，又由于氣體由硅片邊緣向中心擴散所以邊緣膜厚大于中心膜厚，因此，頂端膜厚均勻性最差；環形舟作業時由于上方環形石英的遮擋減小了硅片邊緣氣體的接觸面積可以抑制晶圓邊緣的膜厚度，減小晶圓邊緣與中心的膜厚差異，改善頂端的膜厚均勻性，但由于底端氣體水平擴散影響沒有那么大，使用環形舟后底端的晶圓邊緣的生長速率反而小于中心的生長速率，導致底端的膜厚均勻性變差。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對現有技術的缺陷，提供一種改造簡單，能有效改善氧化硅均勻性的晶舟。

本實用新型為解決上述技術問題采用以下技術方案：

一種改善氧化硅均勻性的晶舟，包括環形舟和梯形舟，所述環形舟和梯形舟均為所述晶舟的水平支撐環；所述晶舟由下到上依次設置至少一個梯形舟和至少一個環形舟；所述梯形舟包括內徑略小于裝載晶圓的半徑的梯形舟水平支撐環；所述環形舟包括環形舟水平支撐環和設置于所述環形舟水平支撐環上表面的石英環形支撐件。

為了進一步優化上述技術方案，本實用新型所采取的技術措施為：

優選的，所述石英環形支撐件包括依次連接的底部支撐件、支撐柱和硅片支撐件；所述底部支撐件、支撐柱和硅片支撐件均為環形。

優選的，所述環形舟水平支撐環、底部支撐件、支撐柱和硅片支撐件的內徑依次變小。

優選的，將晶舟的長度三等分，設為下部晶舟、中部晶舟和上部晶舟。

優選的，所述下部晶舟的水平支撐環均為梯形舟。

優選的，所述中部晶舟和上部晶舟的水平支撐環均為環形舟。

優選的，所述下部晶舟設置兩個梯形舟。

優選的，所述中部晶舟設置兩個環形舟。

優選的，所述上部晶舟設置兩個環形舟。

本實用新型采用以上技術方案，與現有技術相比，具有如下技術效果：

本實用新型的晶舟的上半部分為環形舟，可以改善梯形舟頂端膜厚均勻性差的問題；下半部分設計為梯形舟，優化了環形舟底端膜厚的均勻性；這樣將梯形舟與環形舟結合起來，解決了氣體由下往上，由邊緣向中心擴散導致的硅片均勻性差的問題。

附圖說明

圖1為本實用新型的一種優選實施例的環形舟的結構示意圖；

圖2為本實用新型的一種優選實施例的梯形舟的結構示意圖；

圖3為本實用新型的一種優選實施例的晶舟的結構示意圖；

圖4為現有的環形晶舟和梯形晶舟的晶圓生長圖；

圖5為現有的環形晶舟和梯形晶舟的晶圓工藝的晶圓表面光波反射分布圖；