[實用新型]一種改善氧化硅均勻性的晶舟有效
| 申請號: | 201721252693.9 | 申請日: | 2017-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN207367941U | 公開(公告)日: | 2018-05-15 |
| 發明(設計)人: | 朱華君;張召;王智 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201315 上海市浦東新區中國(上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 氧化 均勻 | ||
1.一種改善氧化硅均勻性的晶舟,其特征在于:包括環形舟(1)和梯形舟(2),所述環形舟(1)和梯形舟(2)均為所述晶舟的水平支撐環;所述晶舟由下到上依次設置至少一個梯形舟(2)和至少一個環形舟(1);所述梯形舟(2)包括內徑略小于裝載的晶圓的半徑的梯形舟水平支撐環(21);所述環形舟(1)包括環形舟水平支撐環(11)和設置于所述環形舟水平支撐環(11)上表面的石英環形支撐件(12)。
2.根據權利要求1所述的改善氧化硅均勻性的晶舟,其特征在于:所述石英環形支撐件(12)包括依次連接的底部支撐件(121)、支撐柱(122)和硅片支撐件(123);所述底部支撐件(121)、支撐柱(122)和硅片支撐件(123)均為環形。
3.根據權利要求2所述的改善氧化硅均勻性的晶舟,其特征在于:所述環形舟水平支撐環(11)、底部支撐件(121)、支撐柱(122)和硅片支撐件(123)的內徑依次變小。
4.根據權利要求3所述的改善氧化硅均勻性的晶舟,其特征在于:將晶舟的長度三等分,設置為下部晶舟(3)、中部晶舟(4)和上部晶舟(5)。
5.根據權利要求4所述的改善氧化硅均勻性的晶舟,其特征在于:所述下部晶舟(3)的水平支撐環均為梯形舟(2)。
6.根據權利要求4所述的改善氧化硅均勻性的晶舟,其特征在于:所述中部晶舟(4)和上部晶舟(5)的水平支撐環均為環形舟(1)。
7.根據權利要求5所述的改善氧化硅均勻性的晶舟,其特征在于:所述下部晶舟(3)設置兩個梯形舟(2)。
8.根據權利要求6所述的改善氧化硅均勻性的晶舟,其特征在于:所述中部晶舟(4)設置兩個環形舟(1)。
9.根據權利要求6所述的改善氧化硅均勻性的晶舟,其特征在于:所述上部晶舟(5)設置兩個環形舟(1)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





