[實(shí)用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721196786.4
• 申請(qǐng)日: 2017-09-19
• 公開（公告）號(hào): CN207503956U
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/13
• 分類號(hào): H01L23/13
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

前端結(jié)構(gòu)，包括一介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有若干貫穿所述介質(zhì)層的通道；

渠道沉積物，形成于所述通道中；

絕緣層，形成于所述前端結(jié)構(gòu)上，所述絕緣層形成有接觸窗，所述接觸窗具有底部延伸孔，暴露出所述渠道沉積物的至少部分區(qū)域，所述接觸窗的所述底部延伸孔的尺寸小于所述接觸窗遠(yuǎn)離所述渠道沉積物的頂開口尺寸；以及

后端金屬層，形成于所述接觸窗中。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述前端結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)電容結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層上表面不高于所述電容結(jié)構(gòu)的上極板，所述接觸窗還位于所述電容結(jié)構(gòu)的上極板上。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一層刻蝕停止層，位于所述前端結(jié)構(gòu)和所述絕緣層之間的。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述刻蝕停止層包括一層厚度10-100nm的氮化層。

5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一層襯墊層，位于所述接觸窗的側(cè)壁和底壁上。

6.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一襯底，包含一單元區(qū)域及一外圍區(qū)域，所述單元區(qū)域上設(shè)置有多個(gè)電容結(jié)構(gòu)，所述外圍區(qū)域上形成有一介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上表面不高于所述電容結(jié)構(gòu)的上極板；

形成所述介質(zhì)層的若干通道，所述通道貫穿所述介質(zhì)層且位在所述外圍區(qū)域上；

渠道沉積物，形成在所述通道中；以及

后端金屬層，形成在所述電容結(jié)構(gòu)的所述上極板上及所述介質(zhì)層上；其中，所述電容結(jié)構(gòu)的所述上極板的上表面及所述介質(zhì)層的上表面組成為整平連續(xù)面，并且所述渠道沉積物的上表面平齊于所述整平連續(xù)面，以使所述渠道沉積物在長度上對(duì)應(yīng)于所述電容結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一層刻蝕停止層，形成于所述整平連續(xù)面上。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述刻蝕停止層包括一層厚度10-100nm的氮化層。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：絕緣層，形成于所述整平連續(xù)面上，所述絕緣層形成有接觸窗，所述接觸窗具有底部延伸孔，暴露出所述渠道沉積物的至少部分區(qū)域及所述上極板的部分區(qū)域，所述接觸窗的所述底部延伸孔的尺寸小于所述接觸窗遠(yuǎn)離所述整平連續(xù)面的頂開口尺寸；以及

后端金屬層，形成于所述接觸窗中。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一層襯墊層，位于所述接觸窗的側(cè)壁和底壁上。