[實用新型]一種腔室密封結構的半導體加工設備有效
| 申請號: | 201721193175.4 | 申請日: | 2017-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN207503919U | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 吳燕發 | 申請(專利權)人: | 南安市品龍新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 362300 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體加工設備 密封結構 傳輸帶 種腔室 本實用新型 封密性 圓棍 指示燈 切面 濕氣 間隙配合方式 長方體結構 產品生產 活動連接 緊固設備 數控面板 旋轉軸承 支撐面板 傳動桿 傳動盒 電機箱 對設備 加工器 緊固器 支撐架 傳動 底端 滾輪 轉軸 滲入 | ||
本實用新型公開了一種腔室密封結構的半導體加工設備,其結構包括傳輸帶、支撐面板、支撐架、電機箱、加工器、數控面板、指示燈、圓棍封密裝置,所述傳輸帶為長方體結構,切面為長方形長為7?8cm,所述傳輸帶左側底端與旋轉軸承采用間隙配合方式活動連接,本實用新型一種腔室密封結構的半導體加工設備,設有圓棍封密裝置,通過緊固器緊固設備,傳動盒與傳動桿進行傳動,使得轉軸與滾輪旋轉加強對設備的封密性,解決了設備封密產品時封密性不足的問題,避免了產品生產出來會滲入濕氣產生水分導致無法使用。
技術領域
本實用新型是一種腔室密封結構的半導體加工設備,屬于半導體設備領域。
背景技術
半導體,指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。
現有技術公開了申請號為:CN201210423901.2的一種腔室密封結構的半導體加工設備,包括:室體,所述室體內具有反應腔;第一托盤,所述第一托盤設于所述反應腔內,所述第一托盤上設有承載晶片的片槽;電感線圈,所述電感線圈環繞在所述室體的外周,用于加熱所述第一托盤,所述第一托盤由多個子托盤構成,所述子托盤之間存在物理間隙。根據本發明的半導體加工設備,通過將第一托盤分成多個子托盤,可有效降低集膚效應對第一托盤的影響,提高了第一托盤溫度分布的均勻性,降低第一托盤徑向的溫度分布梯度,進而使位于片槽內的基片升溫更加均勻,提高了半導體加工設備工藝效果,但是其不足之處在于設備封密產品時封密性不足,容易使產品生產出來后會滲入濕氣產生水分導致無法使用。
實用新型內容
針對現有技術存在的不足,本實用新型目的是提供一種腔室密封結構的半導體加工設備,以解決設備封密產品時封密性不足,容易使產品生產出來后會滲入濕氣產生水分導致無法使用的問題。
為了實現上述目的,本實用新型是通過如下的技術方案來實現:一種腔室密封結構的半導體加工設備,其結構包括傳輸帶、支撐面板、支撐架、電機箱、加工器、數控面板、指示燈、圓棍封密裝置,所述傳輸帶為長方體結構,切面為長方形長為7-8cm,所述傳輸帶左側底端與旋轉軸承采用間隙配合方式活動連接,所述支撐面板為長方體結構,切面為長方形長為8-9cm,共設有2塊,所述支撐架上端為圓柱體結構,底端為圓盤狀結構,上下端焊接為一體化結構,所述電機箱為中空式長方體結構,切面為長方形長為5-6cm,上端與支撐面板底端采用過盈配合方式活動連接,所述加工器為長方體結構,切面為長方形長為4-5cm,底端與支撐面板采用過盈配合方式活動連接,所述數控面板高為5-6cm,底端與支撐面板采用過渡配合方式活動連接,所述指示燈為圓柱體結構,切面為長方形長為4cm,截面為圓形半徑為1cm,底端與封蓋采用過盈配合方式活動連接,所述圓棍封密裝置為圓柱體結構,切面為長方形長為4cm,截面為圓形半徑為0.8cm,設在封蓋內部,且兩端與封蓋采用間隙配合方式活動連接;所述圓棍封密裝置由緊固器、面板、轉軸、傳動盒、傳動桿、滾輪組成,所述緊固器為圓柱體結構,切面為長方形長為2cm,底端貫穿支撐柱與面板采用過盈配合方式活動連接,所述面板為長方體結構,切面為長方形長為5-6cm,厚度為2cm,所述轉軸圓形結構,切面為長方形長為2cm,右側與傳動桿采用過盈配合方式活動連接,所述傳動桿切面為長方形長為3cm,底端右側與傳動盒采用過盈配合方式活動連接,所述傳動盒為長方體結構,切面為長方形長為4cm,底端與面板采用過盈配合方式活動連接,所述滾輪為圓柱體結構,切面為長方形長為4-5cm,截面為圓形半徑為2cm,兩端與支撐板采用間隙配合方式活動連接。
進一步地,所述傳輸帶左側與旋轉軸承相互旋轉采用間隙配合方式活動連接。
進一步地,所述支撐面板共設有2個,對稱平行相隔4cm。
進一步地,所述支撐架上端貫穿電機箱通過螺絲采用過盈配合方式活動連接。
進一步地,所述電機箱底端四角設有半徑為0.2cm的圓形通口。
進一步地,所述加工器底端與支撐面板采用過盈配合方式活動連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





