[實用新型]半導體處理腔室和等離子體處理腔室

有效

• 申請號: 201721185871.0
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN207637743U
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: D·盧博米爾斯基
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;B05B13/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;金紅蓮

公開了半導體處理腔室和等離子體處理腔室。所描述的處理腔室可包括腔室外殼，所述腔室外殼至少部分限定半導體處理腔室的內部區域。腔室可包括底座。腔室可包括定位在蓋與處理區域之間的第一噴淋頭，并且可包括定位在第一噴淋頭與處理區域之間的面板。腔室也可包括定位在半導體處理腔室的面板與處理區域之間的所述腔室內的第二噴淋頭。第二噴淋頭可包括耦合在一起的至少兩個板以限定在所述至少兩個板之間的容積。所述至少兩個板可至少部分限定通過第二噴淋頭的通道，并且每個通道可由在所述通道的第一末端處的第一直徑表征并可由在所述通道的第二末端處的多個端口表征。

技術領域

本申請主張于2016年10月4日申請并且標題為“DUAL-CHANNEL SHOWERHEAD WITHIMPROVED PROFILE”的美國專利申請No.15/285,331的權益，所述美國專利申請全文出于全部目以引用方式并入本文中。

本技術涉及半導體系統、工藝和設備。更具體來說，本技術涉及可包括噴淋頭的處理腔室，所述噴淋頭可用作等離子體電極。

背景技術

集成電路可能通過在基板表面上產生復雜圖案化的材料層的工藝制成。在基板上產生圖案化材料需要用于移除已暴露材料的受控方法。化學蝕刻用于各種目的，所述目的包括將光刻膠中的圖案轉移至下層、減薄層、或減薄已經存在于表面上的特征的橫向尺寸。通常期望具有與另一種材料相比更快地蝕刻一種材料的蝕刻工藝，進而促進例如圖案轉移工藝。認為此蝕刻工藝對第一種材料具有選擇性。由于材料、電路、和工藝的多樣性，已經開發了對各種材料具有選擇性的蝕刻工藝。

蝕刻工藝、沉積工藝和清潔工藝可在各種腔室中進行。這些腔室可包括組件，所述組件可用以形成電容耦合的等離子體，或可能靠近產生其他形式的等離子體的內部腔室區域，諸如電感耦合的等離子體。腔室組件可能以某些方式配置以減少等離子體產生或通過腔室的前驅物分配的影響，但這可能以額外功能為代價。

因此，需要可用以產生高品質裝置和結構的改良的系統和方法。這些和其他需求通過本技術解決。

實用新型內容

本技術的半導體處理系統和方法可包括半導體處理腔室，所述腔室包括至少部分限定半導體處理腔室的內部區域的腔室外殼，并且所述腔室外殼可包括蓋。腔室可包括被配置以在半導體處理腔室的處理區域內支撐基板的底座。腔室可包括定位在蓋與處理區域之間的第一噴淋頭，并且可包括定位在半導體處理腔室的第一噴淋頭與處理區域之間的面板。腔室也可包括定位在半導體處理腔室的面板與處理區域之間的腔室內的第二噴淋頭。第二噴淋頭可包括耦合在一起的至少兩個板以限定在所述至少兩個板之間的容積。至少兩個板可至少部分限定通過第二噴淋頭的通道，并且每個通道可由在通道的第一末端處的第一直徑表征，并可由在通道的第二末端處的多個端口表征。

在實施例中，每個端口可由小于第一直徑的直徑表征。另外，第一噴淋頭可與電源耦合，并且面板可與電氣接地耦合。示例性半導體處理腔室也可包括在第一噴淋頭與面板之間的間隔件。第一噴淋頭、面板和間隔件可被配置以至少部分限定在半導體處理腔室內的等離子體處理區域。在一些實施例中，底座可與電源耦合，并且第二噴淋頭可與電氣接地耦合。底座和第二噴淋頭可被配置以至少部分限定在半導體處理腔室的處理區域內的等離子體處理區域。在實施例中，面板與第二噴淋頭可直接接觸，并且面板和第二噴淋頭都可與電氣接地耦合。

第二噴淋頭可定位在腔室內，所述第二噴淋頭具有面對面板的每個通道的第一末端，并具有靠近半導體處理腔室的處理區域的每個通道的第二末端。另外，第二噴淋頭可定位在腔室內，所述第二噴淋頭具有靠近半導體處理腔室的處理區域的每個通道的第一末端，并具有面對面板的每個通道的第二末端。第二噴淋頭的表面可鄰近半導體處理腔室的處理區域，并且可涂覆或處理所述表面。在一些實施例中，第一直徑可以是至少約2.5 mm，并且每個端口的直徑可以小于或約1.2mm。