[實用新型]半導體處理腔室和等離子體處理腔室

有效

• 申請號: 201721185871.0
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN207637743U
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: D·盧博米爾斯基
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;B05B13/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;金紅蓮

1.一種半導體處理腔室，包含：

腔室外殼，至少部分限定所述半導體處理腔室的內部區域，其中所述腔室外殼包含蓋；

底座，配置成支撐在所述半導體處理腔室的處理區域內的基板；以及

第一噴淋頭，定位在所述半導體處理腔室內，所述第一噴淋頭包含耦合在一起的至少兩個板以限定在所述至少兩個板之間的容積，其中所述至少兩個板至少部分限定通過所述第一噴淋頭的通道，并且其中每個通道由在所述通道的第一末端處的第一直徑表征并由在所述通道的第二末端處的多個端口表征。

2.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中每個端口由小于所述第一直徑的直徑表征。

3.如權利要求1所述的半導體處理腔室，進一步包含與電源耦合的第二噴淋頭，其中所述第二噴淋頭定位在所述蓋與所述處理區域之間的所述半導體處理腔室內。

4.如權利要求3所述的半導體處理腔室，進一步包含與電氣接地耦合的面板，其中所述面板定位在所述第一噴淋頭與所述處理區域之間的所述半導體處理腔室內。

5.如權利要求4所述的半導體處理腔室，其中所述面板與所述第二噴淋頭直接接觸，并且其中所述面板和所述第二噴淋頭與電氣接地耦合。

6.如權利要求4所述的半導體處理腔室，其中所述半導體處理腔室進一步包含在所述第一噴淋頭與所述面板之間的間隔件，并且其中所述第一噴淋頭、所述面板、和所述間隔件被配置成至少部分限定在所述半導體處理腔室內的等離子體處理區域。

7.如權利要求3所述的半導體處理腔室，其中所述底座與電源耦合，并且其中所述第二噴淋頭與電氣接地耦合。

8.如權利要求7所述的半導體處理腔室，其中所述底座和所述第二噴淋頭被配置成至少部分限定在所述半導體處理腔室的所述處理區域內的等離子體處理區域。

9.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述第一噴淋頭定位在所述腔室內，所述第一噴淋頭具有面對面板的每個通道的所述第一末端，并具有靠近所述半導體處理腔室的處理區域的每個通道的所述第二末端。

10.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述第一噴淋頭定位在所述腔室內，所述第一噴淋頭具有靠近所述半導體處理腔室的處理區域的每個通道的所述第一末端，并具有面對面板的每個通道的所述第二末端。

11.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述第一噴淋頭的表面鄰近所述半導體處理腔室的所述處理區域，并且其中所述表面經涂覆。

12.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述第一直徑是至少約2.5mm，并且其中每個端口的直徑小于或約1.2mm。

13.一種等離子體處理腔室，包含：

噴淋頭，包含：

第一板，限定多個通孔；以及

第二板，與所述第一板耦合，其中所述第二板限定第一多個孔和第二多個孔，其中所述第二多個孔被限定在多組孔中的所述第二板中，所述多組孔包括所述第二多個孔中的至少兩個孔，并且其中所述第一板的每個通孔與至少一組孔對準以產生通道。

14.如權利要求13所述的等離子體處理腔室，其中所述第一板與所述第二板彼此耦合以限定在所述第一板與所述第二板之間的容積，其中所述容積從所述第二板的所述第一多個孔流體接入，并且其中所述通道與在所述第一板與所述第二板之間限定的所述容積流體隔離。

15.如權利要求14所述的等離子體處理腔室，其中所述第一多個孔被限定在多個第一組孔中的所述第二板中，所述多個第一組孔包括所述第一多個孔中的至少兩個孔，并且其中每個第一組孔圍繞所述第二多個孔中的一組孔。