[實(shí)用新型]帶屏蔽結(jié)構(gòu)的集成電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721177249.5
• 申請(qǐng)日: 2017-09-14
• 公開（公告）號(hào): CN207116422U
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·景;S·吳;X·X·吳;P·烏帕德亞雅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽靈思公司
• 主分類號(hào): H01L23/58
• 分類號(hào): H01L23/58
• 代理公司: 北京市君合律師事務(wù)所11517
• 代理人: 毛健,杜小鋒

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的示例一般涉及集成電路(IC)，具體涉及與集成電路一起使用的屏蔽結(jié)構(gòu)相關(guān)的實(shí)施例。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)技術(shù)的持續(xù)發(fā)展使特征尺寸愈發(fā)減小。更小的特征尺寸有利于產(chǎn)生更小的器件，從而允許在IC的給定區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多數(shù)量的器件。隨著器件彼此設(shè)置地更靠近以及在IC內(nèi)器件的總數(shù)量增加，器件之間的電相互作用的量也越來越大。

電相互作用的一個(gè)示例是電感耦合。電感耦合可能影響在IC內(nèi)部運(yùn)行的器件(特別是電感)的性能。考慮到現(xiàn)代電路的高頻運(yùn)行和阻抗匹配的需要，IC內(nèi)的電感的實(shí)現(xiàn)越來越重要。然而，許多電相互作用(如電感耦合)在使用現(xiàn)代IC制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)的IC內(nèi)難以被預(yù)測(cè)和量化。

因此，需要一種能夠用于屏蔽器件間電相互作用的改進(jìn)的屏蔽結(jié)構(gòu)。

實(shí)用新型內(nèi)容

根據(jù)本公開內(nèi)容，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件包括布置在半導(dǎo)體襯底上的互連結(jié)構(gòu)。互連結(jié)構(gòu)包括：第一器件，其布置在所述互連結(jié)構(gòu)的第一部分中；第一屏蔽板，包括第一導(dǎo)電材料，并被布置在所述互連結(jié)構(gòu)的所述第一部分之上的所述互連結(jié)構(gòu)的第二部分中；第二器件，其布置在所述互連結(jié)構(gòu)的所述第二部分之上的所述互連結(jié)構(gòu)的第三部分中；和隔離壁，包括第二導(dǎo)電材料，并被布置在所述互連結(jié)構(gòu)的所述第一、第二和第三部分中，其中所述隔離壁耦合到所述第一屏蔽板，并且其中所述隔離壁圍繞所述第一器件、所述第一屏蔽板和所述第二器件。

在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)電材料和第二導(dǎo)電材料是不同的。

在一些實(shí)施例中，第二器件是電感。

在一些實(shí)施例中，電感包括第三導(dǎo)電材料的線圈，第三導(dǎo)電材料不同于第一和第二導(dǎo)電材料。

在一些實(shí)施例中，第一器件設(shè)置在第一導(dǎo)電層中，第一屏蔽板設(shè)置在第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層中，并且第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層相鄰。

在一些實(shí)施例中，第一屏蔽板設(shè)置在第一導(dǎo)電層中；第二器件設(shè)置在第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層中；并且第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層相鄰。

在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)不包括偽導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，第一屏蔽板包括多個(gè)指，并且隔離壁耦合到每個(gè)指的一端。

在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)包括第二屏蔽板，該第二屏蔽板包括第三導(dǎo)電材料，并被布置在互連結(jié)構(gòu)的第三部分上的互連結(jié)構(gòu)的第四部分中；以及在互連結(jié)構(gòu)的第四部分上的互連結(jié)構(gòu)的第五部分中的第三器件。

在一些實(shí)施例中，隔離壁圍繞第二屏蔽板和第三器件。

在根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體器件的方法包括成形設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的互連結(jié)構(gòu)。形成互連結(jié)構(gòu)包括：在互連結(jié)構(gòu)的第一部分中成形第一器件；在互連結(jié)構(gòu)第一部分上的互連結(jié)構(gòu)第二部分成形包括第一導(dǎo)電材料的第一屏蔽板；在互連結(jié)構(gòu)第二部分上的互連結(jié)構(gòu)第三部分中成形第二器件；以及在互連結(jié)構(gòu)的第一、第二和第三部分中成形包括第二導(dǎo)電材料的隔離壁。隔離壁耦合到第一屏蔽板，并且隔離壁圍繞第一器件、第一屏蔽板和第二器件。

通過閱讀以下詳細(xì)描述和附圖，其他方面和特征將是顯而易見的。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的用于集成電路的示例性架構(gòu)的框圖；

圖2示出了根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的框圖；

圖3A示出了根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖；

圖3B示出了圖3A中根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖；

圖4A示出了根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖；

圖4B是示出圖4A中根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖；

圖5A示出了根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖；

圖5B是示出圖5A中根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖；

圖6A示出了根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖；

圖6B是示出圖6A中根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖；

圖7示出了根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；

圖8和圖9示出了根據(jù)本公開中各種實(shí)施例之間的性能比較；

圖10示出了根據(jù)本公開中一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖。

具體實(shí)施方式