[實用新型]帶屏蔽結構的集成電路有效
| 申請號： | 201721177249.5 | 申請日： | 2017-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN207116422U | 公開（公告）日： | 2018-03-16 |
| 發明（設計）人： | J·景;S·吳;X·X·吳;P·烏帕德亞雅 | 申請（專利權）人： | 賽靈思公司 |
| 主分類號： | H01L23/58 | 分類號： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京市君合律師事務所11517 | 代理人： | 毛健,杜小鋒 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 屏蔽 結構 集成電路 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
布置在半導體襯底上的互連結構，其中所述互連結構包括：
第一器件，其布置在所述互連結構的第一部分中；
第一屏蔽板，包括第一導電材料，所述第一屏蔽板布置在所述互連結構的所述第一部分之上的所述互連結構的第二部分中；
第二器件，其布置在所述互連結構的所述第二部分之上的所述互連結構的第三部分中；和
隔離壁，包括第二導電材料，所述隔離壁布置在所述互連結構的所述第一、第二和第三部分中，其中所述隔離壁耦合到所述第一屏蔽板，并且所述隔離壁圍繞所述第一器件、所述第一屏蔽板和所述第二器件。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一導電材料和所述第二導電材料不同。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二器件是電感。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述電感包括第三導電材料的線圈，所述第三導電材料不同于所述第一和第二導電材料。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一器件設置在第一導電層中；
其中所述第一屏蔽板設置在所述第一導電層之上的第二導電層中；并且
其中所述第二導電層與所述第一導電層相鄰。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一屏蔽板設置在第一導電層中；
其中所述第二器件設置在所述第一導電層上的第二導電層中；并且
其中所述第二導電層與所述第一導電層相鄰。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述互連結構不包括偽導電結構。
8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一屏蔽板包括多個指，并且
其中所述隔離壁耦合到每個指的一端。
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述互連結構包括：
第二屏蔽板，包括第三導電材料，所述第二屏蔽板布置在所述互連結構的所述第三部分之上的所述互連結構的第四部分中；和
第三器件，其布置在所述互連結構的所述第四部分之上的所述互連結構的第五部分中。
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述隔離壁圍繞所述第二屏蔽板和所述第三器件。
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