[實用新型]一種低損耗高精度數控衰減器

有效

• 申請號: 201721175539.6
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN207399156U
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 李亞波
• 申請（專利權）人: 陜西博亞微波有限公司
• 主分類號: H03H17/00
• 分類號: H03H17/00
• 代理公司: 北京旭路知識產權代理有限公司 11567
• 代理人: 劉成春

本實用新型提供一種低損耗高精度數控衰減器，包括一組依次串聯的單級射頻衰減電路，首端的單級射頻衰減電路的輸入端與射頻輸入電路連接，末端的單級射頻衰減電路的輸出端與射頻輸出電路連接，所述的射頻輸入電路和射頻輸出電路為共面波導結構，還包括一控制電路，所述控制電路分別與各單級射頻衰減電路相連接。

技術領域

本實用新型涉及電子元器件技術，特別是涉及一種低損耗高精度數控衰減器。

背景技術

隨著雷達信號模擬、高精度信號測量、雷達成像等技術領域的快速發展，對低插損、高精度的程控衰減器需求，要求更低的插損、更高的衰減精度、更低的功耗以及更寬的衰減范圍，這促進了高精度程控衰減器的快速發展。

國內現有的數控衰減器大多采用傳統的單片微組裝應用搭接技術，單片數控衰減器的損耗大多較高、衰減位數一般為5-6位，在插損要求不高、衰減范圍不大的情況下，還可以滿足一般精度要求。一般遇到較高的衰減范圍，需要多級單片進行串聯就會造成損耗很大、同時位數過少也會帶來衰減的精度較差，衰減分辨率很粗的問題。

基于傳統的單片數控衰減器實現的數控衰減模塊，位數較少，損耗較大，不能實現低插損、高精度、大動態的要求。因此，在對數控衰減器要求大動態范圍條件下的，更低的插入損耗、更高控制精度，更高分辨率衰減值的系統中就無法適應。

目前，國內外的數控衰減模塊多采用數控衰減器單片直接搭接完成，單片數控衰減器受芯片本身的損耗、控制位數、衰減范圍的限制。因此，設計出來的模塊插損較大、精度較低、衰減分辨率較粗。雖然一定程度上能夠滿足系統程控衰減的要求，但在精度和分辨率要求較高的雷達信號模擬、雷達成像、空間系統領域上則面臨上述控制精度不夠、衰減分辨率較粗的問題。

實用新型內容

針對現有技術中存在的缺陷和不足，本實用新型的目的在于提供一種低損耗高精度數控衰減器。

本實用新型的技術方案如下：

一種低損耗高精度數控衰減器，其特征在于：包括一組依次串聯的單級射頻衰減電路，首端的單級射頻衰減電路的輸入端與射頻輸入電路連接，末端的單級射頻衰減電路的輸出端與射頻輸出電路連接，所述的射頻輸入電路和射頻輸出電路為共面波導結構，還包括一控制電路，所述控制電路分別與各單級射頻衰減電路相連接。

可選的，所述單級射頻衰減電路包括π型衰減電路和由一組電容組成的參考路徑并聯組成的電路部分，并與前置的射頻開關和后置的射頻開關串聯組成。

可選的，所述各單級射頻衰減電路拓撲設置于一電路板中，所述電路板背面為全裸鍍金結構。

可選的，所述電路板中部的微帶線附近設置若干過孔，所述過孔連接電路板頂層和底層金屬并保證其接觸良好。

可選的，所述單級射頻衰減電路中腔體為分腔結構，且其拓撲結構中單腔隔離，并留有射頻信號傳輸通道。

可選的，所述腔體包括上蓋板、主腔體和下蓋板。

可選的，所述控制電路為低紋波的電壓偏置電路，且控制電路與首端的單級射頻衰減電路的前置的射頻開關連接，并與各單級射頻衰減電路的后置的射頻開關連接。

可選的，所述射頻開關采用CSWA2-63DR+芯片。

本實用新型的技術效果在于：

本實用新型采用串并聯的衰減網絡拓撲結構、通過多級開關芯片搭接、高速開關驅動電路，結合開關線電路，實現輸入信號的低插損、高精度、高衰減分辨率的數控衰減器模塊。

本實用新型的射頻輸入和輸出電路采用共面波導形式，有效降低插損、信號的空間耦合和電路設計的小型化問題。