[實用新型]一種低損耗高精度數控衰減器有效
| 申請號： | 201721175539.6 | 申請日： | 2017-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN207399156U | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發明（設計）人： | 李亞波 | 申請（專利權）人： | 陜西博亞微波有限公司 |
| 主分類號： | H03H17/00 | 分類號： | H03H17/00 |
| 代理公司： | 北京旭路知識產權代理有限公司 11567 | 代理人： | 劉成春 |
| 地址： | 710065 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 損耗 高精度 數控 衰減器 | ||
1.一種低損耗高精度數控衰減器，其特征在于：包括一組依次串聯的單級射頻衰減電路，首端的單級射頻衰減電路的輸入端與射頻輸入電路連接，末端的單級射頻衰減電路的輸出端與射頻輸出電路連接，所述的射頻輸入電路和射頻輸出電路為共面波導結構，還包括一控制電路，所述控制電路分別與各單級射頻衰減電路相連接。
2.如權利要求1所述的低損耗高精度數控衰減器，其特征在于：所述單級射頻衰減電路包括π型衰減電路和由一組電容組成的參考路徑并聯組成的電路部分，并與前置的射頻開關和后置的射頻開關串聯組成。
3.如權利要求2所述的低損耗高精度數控衰減器，其特征在于：所述各單級射頻衰減電路拓撲設置于一電路板中，所述電路板背面為全裸鍍金結構。
4.如權利要求3所述的低損耗高精度數控衰減器，其特征在于：所述電路板中部的微帶線附近設置若干過孔，所述過孔連接電路板頂層和底層金屬并保證其接觸良好。
5.如權利要求4所述的低損耗高精度數控衰減器，其特征在于：所述單級射頻衰減電路中腔體為分腔結構，且其拓撲結構中單腔隔離，并留有射頻信號傳輸通道。
6.如權利要求5所述的低損耗高精度數控衰減器，其特征在于：所述腔體包括上蓋板、主腔體和下蓋板。
7.如權利要求1所述的低損耗高精度數控衰減器，其特征在于：所述控制電路為低紋波的電壓偏置電路，且控制電路與首端的單級射頻衰減電路的前置的射頻開關連接，并與各單級射頻衰減電路的后置的射頻開關連接。
8.如權利要求7所述的低損耗高精度數控衰減器，其特征在于：所述射頻開關采用CSWA2-63DR+芯片。
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