[實用新型]顯示裝置

有效

• 申請號: 201721172053.7
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN207381400U
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 鈴村功;渡壁創;花田明纮;渡邊裕一
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/04;H01L29/16;H01L29/24;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

本實用新型涉及顯示裝置。本實用新型要解決的課題為能夠在同一基板內形成LTPSTFT和氧化物半導體TFT。解決手段為一種顯示裝置，其為在基板(100)上形成有具有氧化物半導體層(102)的第一TFT、和具有Poly?Si層(106)的第二TFT的顯示裝置，顯示裝置的特征在于，在基板(100)上形成基膜(101)，在基膜(101)上方形成氧化物半導體層(102)，在氧化物半導體層(102)上方形成第一層間絕緣膜(105)，在所述第一層間絕緣膜(105)上方形成所述Poly?Si層(106)。

技術領域

本實用新型涉及顯示裝置，且涉及使用混合式(hybrid)結構(其利用使用結晶性硅(Poly-Si多晶硅)的TFT和使用氧化物半導體的TFT 這兩者)的顯示裝置。

背景技術

對于液晶顯示裝置而言，其構成為：具有TFT基板，與TFT基板相對地配置的對置基板，并在TFT基板與對置基板之間夾持液晶，所述TFT基板中具有像素電極及薄膜晶體管(TFT)等的像素以矩陣狀形成。并且，按每個像素來控制利用液晶分子的光的透過率，從而形成圖像。另一方面，有機EL顯示裝置通過在各像素中配置自發光的有機EL層與TFT，從而形成彩色圖像。有機EL顯示裝置由于不需要背光源，因此對于薄型化而言是有利的。

由于LTPS(LowTemperaturePoly-Si：低溫多晶硅)遷移率高，因此適合作為驅動電路用TFT。另一方面，氧化物半導體OFF電阻高，若將其用于TFT，則能夠減小OFF電流。

專利文獻1中記載了，在具有使用LTPS的TFT與使用氧化物半導體的TFT的混合式構成的顯示裝置中，首先形成利用LTPS的TFT 的構成。對于專利文獻1中記載的、利用氧化物半導體的TFT而言，其構成為漏電極與源電極在氧化物半導體的底部(bottom)接觸的、所謂的底部接觸(bottomcontact)型。需要說明的是，底部接觸型存在接觸電阻易于變高的問題。

現有技術文獻

專利文獻

【專利文獻1】WO2012-176422

實用新型內容

實用新型要解決的問題

關于作為像素的開關使用的TFT，需要漏電流小。利用氧化物半導體的TFT能夠減小漏電流。以下，將氧化物半導體之中的光學透明、且非晶的那些稱為TAOS(TransparentAmorphousOxideSemiconductor：透明非晶氧化物半導體)。TAOS包括IGZO(IndiumGalliumZincOxide：氧化銦鎵鋅)、ITZO(IndiumTinZincOxide：氧化銦錫鋅)、ZnON(ZincOxideNitride：氮氧化鋅)、IGO(IndiumGalliumOxide：氧化銦鎵)等。以下，以TAOS為代表說明氧化物半導體。TAOS的載流子的遷移率小，因此有時難以用使用了TAOS的TFT來形成內置于顯示裝置內的驅動電路。以下，TAOS也用于指使用了TAOS的TFT 的意思。

另一方面，由LTPS形成的TFT的遷移率大，因此能夠通過使用了LTPS的TFT來形成驅動電路。以下，LTPS也用于指使用了LTPS 的TFT的意思。但是，在將LTPS用作像素中的開關TFT的情況下， LTPS的漏電流大，因此，通常將2個LTPS串聯使用。

因此，當作為顯示區域中的像素的開關元件而使用TAOS，而在周邊驅動電路的TFT中使用LTPS時，則是合理的。但是，無論是 LTPS還是TAOS，為了供給信號、電源，均需要在覆蓋TFT的絕緣膜中形成通孔。TAOS與LTPS需要在不同的層中形成。若這樣的話，用于形成通孔的層數將會不同。

以往，由于LTPS先于TAOS形成，因此通孔的深度在LTPS側更深。換言之，為形成LTPS的通孔，對TAOS側的通孔而言將會過蝕刻(overetching)，存在TAOS的漏極及源極通過蝕刻而消失的問題。