[實用新型]顯示裝置

有效

• 申請號: 201721172053.7
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN207381400U
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 鈴村功;渡壁創;花田明纮;渡邊裕一
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/04;H01L29/16;H01L29/24;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種顯示裝置，其為在基板上形成有具有氧化物半導體層的第一TFT、和具有Poly-Si層的第二TFT的顯示裝置，

所述顯示裝置的特征在于，在所述基板上形成基膜，在所述基膜的上方形成所述氧化物半導體層，

在所述氧化物半導體層的上方形成第一層間絕緣膜，

在所述第一層間絕緣膜的上方形成所述Poly-Si層。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述第一層間絕緣膜由包含SiO層和SiN層的多層形成，

所述SiO層形成在所述氧化物半導體層的上方。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

在所述Poly-Si層的上方形成第二層間絕緣膜，

貫通所述第二層間絕緣膜與在所述Poly-Si層之上形成的第二柵極絕緣膜而形成第二通孔，第二源漏電極經由所述第二通孔而與所述第二TFT連接，

貫通所述第二層間絕緣膜、所述第二柵極絕緣膜、及所述第一層間絕緣膜而形成第一通孔，第一源漏電極經由所述第一通孔而與所述第一TFT連接。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，

所述第一通孔進一步貫通覆蓋所述氧化物半導體的第一柵極絕緣膜，所述第一源漏電極經由所述第一通孔而與所述第一TFT連接。

5.根據權利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一TFT為底柵型TFT。

6.根據權利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一TFT為頂柵型TFT。

7.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述基膜由包含SiO層的層形成，所述SiO層與所述氧化物半導體接觸。

8.一種顯示裝置，其為在基板上形成有具有氧化物半導體層的第一TFT、和具有Poly-Si層的第二TFT的顯示裝置，

所述顯示裝置的特征在于，在所述基板形成基膜，在所述基膜之上形成第一TFT，

在所述氧化物半導體層的上方形成AlO層，覆蓋所述AlO層而形成第二基膜，

在所述第二基膜之上形成所述第二TFT。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，在俯視觀察時，所述Poly-Si層與所述氧化物半導體層不重疊。

10.根據權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，

在所述第二TFT之上形成第二層間絕緣膜，

貫通所述第二層間絕緣膜與在所述Poly-Si層之上形成的第二柵極絕緣膜而形成第二通孔，第二源漏電極經由所述第二通孔而與所述第二TFT連接，

貫通所述第二層間絕緣膜、所述第二柵極絕緣膜、所述第二基膜、及所述AlO層而形成第一通孔，第一源漏電極經由所述第一通孔而與所述第一TFT連接。

11.根據權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，

所述第二基膜由包含SiO層的層形成，所述SiO層以與所述AlO層接觸的方式形成。

12.根據權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，所述第二基膜由包含SiO層和SiN層的多層形成。

13.根據權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，在所述第一TFT與所述AlO層之間形成有包含SiO層的第一層間絕緣膜。

14.根據權利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，

在所述第一TFT與所述AlO層之間形成有包含SiO層的第一層間絕緣膜，所述第一通孔貫通所述第一層間絕緣膜，

所述第一源漏電極經由所述第一通孔而與所述第一TFT連接。