[實用新型]MOS管內阻監測電路

有效

• 申請號: 201721169383.0
• 申請日: 2017-09-12
• 公開（公告）號: CN207366637U
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 張雄
• 申請（專利權）人: 深圳市沃特瑪電池有限公司
• 主分類號: G01R27/02
• 分類號: G01R27/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種MOS管內阻監測電路，其特征在于：所述MOS管內阻監測電路包括待測MOS管、電壓采樣電阻、第一運放單元、第二運放單元、電壓比較單元及發光單元；所述待測MOS管的柵極與第一信號輸入端相連，所述待測MOS管的漏極與所述電壓采樣電阻的一端、所述第一運放單元的第一輸入端、所述第二運放單元的第一輸入端相連，所述待測MOS管的源極與所述第二運放單元的第二輸入端相連并通過保護電阻接地；所述電壓采樣電阻的另一端與所述第一運放單元的第二輸入端及第二信號輸入端相連；所述第一運放單元的輸出端與所述電壓比較單元的第一輸入端相連，所述第二運放單元的輸出端與所述電壓比較單元的第二輸入端相連，所述電壓比較單元的輸出端與所述發光單元相連；所述電壓采樣電阻將其兩端的電壓信號發送至所述第一運放單元，以實現所述第一運放單元對所述電壓采樣電阻導通時的壓降的采集；所述待測MOS管分別將漏極和源極的電壓信號發送至所述第二運放單元，以實現所述第二運放單元對所述待測MOS管的導通時的壓降的采集；所述第一運放單元將接收到的電壓采樣電阻導通時的壓降進行差分放大后輸出至所述電壓比較單元的第一輸入端，所述第二運放單元將接收到的待測MOS管的導通時的壓降進行差分放大后發送至所述電壓比較單元的第二輸入端；所述電壓比較單元用于將所述第一運放單元的輸出電壓與所述第二運放單元的輸出電壓進行比較，并通過所述發光單元顯示比較結果，進而確定所述待測MOS管是否符合要求。

2.如權利要求1所述的MOS管內阻監測電路，其特征在于：若所述第一運放單元的輸出電壓高于所述第二運放單元的輸出電壓，則所述電壓比較單元輸出高電平，所述發光單元發光，則判斷所述待測MOS管符合要求；若所述第一運放單元的輸出電壓低于或等于所述第二運放單元的輸出電壓，則所述電壓比較單元輸出低電平，所述發光單元不發光，則判斷所述待測MOS管不符合要求。

3.如權利要求2所述的MOS管內阻監測電路，其特征在于：所述第一運放單元包括第一運算放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻及第五電阻；所述第一電阻的一端為所述第一運放單元的第二輸入端，所述第一電阻的另一端與所述第一運算放大器的同相輸入端相連；所述第二電阻的一端為所述第一運放單元的第一輸入端，所述第二電阻的另一端與所述第一運算放大器的反相輸入端相連；所述第三電阻的一端與所述第一運算放大器的反相輸入端相連，所述第三電阻的另一端接地；所述第四電阻的一端與所述第一運算放大器的同相輸入端相連，所述第四電阻的另一端和所述第五電阻的一端與所述第一運算放大器的輸出端相連，所述第五電阻的另一端與所述電壓比較單元的第一輸入端相連。

4.如權利要求3所述的MOS管內阻監測電路，其特征在于：所述第二運放單元包括第二運算放大器、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻及第十電阻；所述第六電阻的一端為所述第一運放單元的第一輸入端，所述第六電阻的另一端與所述第二運算放大器的同相輸入端相連；所述第七電阻的一端為所述第二運放單元的第二輸入端，所述第七電阻的另一端與所述第二運算放大器的反相輸入端相連；所述第八電阻的一端與所述第二運算放大器的反相輸入端相連，所述第八電阻的另一端接地；所述第九電阻的一端與所述第一運算放大器的同相輸入端相連，所述第九電阻的另一端和所述第十電阻的一端及所述第二運算放大器的輸出端相連，所述第十電阻的另一端與所述電壓比較單元的第二輸入端相連。

5.如權利要求4所述的MOS管內阻監測電路，其特征在于：所述電壓比較單元包括第三運算放大器，所述第三運算放大器的第一輸入端為同相輸入端，所述第三運算放大器的第二輸入端為反相輸入端。

6.如權利要求4所述的MOS管內阻監測電路，其特征在于：所述第一電阻、第二電阻、第六電阻及第七電阻的阻值相等，所述第三電阻的阻值與所述第八電阻的阻值相等，所述第四電阻的阻值與所述第九電阻的阻值相等，所述第五電阻的阻值與所述第十電阻的阻值相等。

7.如權利要求1所述的MOS管內阻監測電路，其特征在于：所述電壓采樣電阻的阻值為10毫歐。

8.如權利要求6所述的MOS管內阻監測電路，其特征在于：所述保護電阻、第一電阻、第二電阻、第六電阻及第七電阻的阻值為10千歐，所述第三電阻、第四電阻、第五電阻、第八電阻、第九電阻及第十電阻的阻值為1千歐。