[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721138724.8
• 申請(qǐng)日: 2017-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN207165579U
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

有源區(qū)，具有多個(gè)溝槽與一襯底表面，所述溝槽的開口朝向所述襯底表面；

多個(gè)柵極組件，埋設(shè)于所述有源區(qū)的所述溝槽內(nèi)，其中所述襯底表面包含分別位于所述柵極組件外側(cè)的源區(qū)及位于所述柵極組件之間的漏區(qū)；

節(jié)點(diǎn)接觸，設(shè)在所述源區(qū)上；

位線接觸，設(shè)在所述漏區(qū)上，以與所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的位線相連，且兩組所述節(jié)點(diǎn)接觸通過相鄰的所述柵極組件共用所述位線接觸；

其中，所述有源區(qū)的所述漏區(qū)具有一由所述位線接觸往內(nèi)的第一離子植入層，所述有源區(qū)的所述源區(qū)具有一由所述節(jié)點(diǎn)接觸往內(nèi)的第二離子植入層，所述第一離子植入層的第一深度大于所述第二離子植入層的第二深度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一離子植入層和所述第二離子植入層的濃度由表面向內(nèi)遞減呈梯度變化，所述第一離子植入層的摻雜濃度高于所述第二離子植入層的摻雜濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一離子植入層和所述第二離子植入層的摻雜類型均為N型，所述有源區(qū)在所述第一離子植入層和所述第二離子植入層之外的底層部位的摻雜類型為P型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極組件凹入所述有源區(qū)的深度深于所述第一離子植入層的第一深度并深于所述第二離子植入層的第二深度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極組件由外至內(nèi)依次包括柵介質(zhì)層、金屬襯墊層及柵電極。

6.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

有源區(qū)、埋入所述有源區(qū)并貫穿所述有源區(qū)的字線、及位于所述有源區(qū)上的位線；其中，

所述有源區(qū)設(shè)有至少兩個(gè)埋入式晶體管；所述埋入式晶體管的柵極組件埋入所述有源區(qū)內(nèi)，與所述字線一體成型；所述埋入式晶體管的源區(qū)和漏區(qū)分別位于所述柵極組件的外側(cè)與所述柵極組件之間，在所述源區(qū)上方用以與電容器相連，在所述漏區(qū)上方用以與所述位線相連；且相鄰兩個(gè)所述埋入式晶體管共用一個(gè)位線接觸；

其中，所述漏區(qū)具有一往內(nèi)植入的第一離子植入層，所述源區(qū)具有一往內(nèi)植入的第二離子植入層，所述第一離子植入層的第一深度大于所述第二離子植入層的第二深度，以提供J形晶體管溝道。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一離子植入層和所述第二離子植入層的濃度由表面向內(nèi)遞減呈梯度變化，所述第一離子植入層的摻雜濃度高于所述第二離子植入層的摻雜濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一離子植入層和所述第二離子植入層的摻雜類型均為N型，所述有源區(qū)在所述第一離子植入層和所述第二離子植入層之外的底層部位的摻雜類型為P型。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極組件凹入所述有源區(qū)的深度深于所述第一離子植入層的第一深度并深于所述第二離子植入層的第二深度。

10.根據(jù)權(quán)利要求6至9項(xiàng)任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極組件由外至內(nèi)依次包括柵介質(zhì)層、金屬襯墊層及柵電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極組件表面設(shè)有絕緣蓋帽層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣蓋帽層覆蓋所述柵介質(zhì)層、所述金屬襯墊層及所述柵電極的頂部，所述柵介質(zhì)層與所述金屬襯墊層的頂部持平，所述柵電極的頂部高于所述柵介質(zhì)層與所述金屬襯墊層的頂部，且嵌入所述絕緣蓋帽層中。