[實用新型]薄膜極化過程中的定位裝置、薄膜極化承載組件及其設備有效
| 申請號: | 201721136045.7 | 申請日: | 2017-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN207489841U | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 王開安 | 申請(專利權)人: | 王開安 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/673;H01L41/257 |
| 代理公司: | 深圳市智享知識產權代理有限公司 44361 | 代理人: | 藺顯俊;梁琴琴 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓電器件 薄膜 定位裝置 本實用新型 承載組件 極化過程 極化 轉動 抵接位置 分離位置 分體設置 極化設備 極化位置 極化效果 精準定位 轉動行程 不接觸 移位 抵接 施力 保證 | ||
本實用新型涉及提供一種薄膜極化過程中的定位裝置,其用于對包含有薄膜的壓電器件定位以避免薄膜在極化過程中移位,所述定位裝置與壓電器件分體設置并可相對所述壓電器件轉動,所述定位裝置轉動行程中包括一抵接位置和一分離位置,所述定位裝置轉動至所述抵接位置時與壓電器件邊緣抵接并對壓電器件邊緣施力以將壓電器件定位,所述定位裝置轉動至所述分離位置時,所述定位裝置與所述壓電器件不接觸。本實用新型還提供一種采用上述定位裝置的薄膜極化承載組件及采用薄膜極化承載組件的薄膜極化設備,本實用新型具有將壓電器件及壓電器件中的薄膜精準定位、保證薄膜極化位置準確及極化效果優良的優點。
【技術領域】
本實用新型涉及薄膜技術領域,特別涉及到一種薄膜極化過程中的定位裝置、薄膜極化承載組件及薄膜極化設備。
【背景技術】
極化是薄膜材料處理中的一個重要環節,主要目的是使薄膜材料中雜亂取向的分子偶極矩沿著特定方向(如極化電場方向)一致取向,從而使該薄膜材料具有壓電性能。薄膜極化通常直接將薄膜材料置于電極之間,利用電極產生的高壓電場完成極化。薄膜材料極化過程中,如果不能保證薄膜材料具備足夠的位置穩定性,極化效果將受影響。
【實用新型內容】
為克服現有技術中存在的技術難題,本實用新型提供一種薄膜極化過程中的定位裝置、薄膜極化承載組件及薄膜極化設備。
本實用新型解決技術問題的方案是提供一種薄膜極化過程中的定位裝置,其用于對包含有薄膜的壓電器件定位以避免薄膜在極化過程中移位,其特征在于:所述定位裝置與壓電器件分體設置并可相對所述壓電器件轉動,所述定位裝置轉動行程中包括一抵接位置和一分離位置,所述定位裝置轉動至所述抵接位置時與壓電器件邊緣抵接并對壓電器件邊緣施力以將壓電器件定位,所述定位裝置轉動至所述分離位置時,所述定位裝置與所述壓電器件不接觸。
優選地,所述定位裝置包括圓形底座及凸設于圓形底座邊緣的抵接部,所述圓形底座定義一圓心,所述抵接部任一點到圓形底座圓心之距離均大于所述圓形底座自身半徑大小,所述圓形底座自身半徑小于壓電器件邊緣到圓形底座圓心之最小距離且所述抵接部任一點到圓形底座圓心之距離均大于所述壓電器件邊緣到圓形底座圓心之最小距離。
優選地,所述定位裝置還包括旋轉部,所述旋轉部從圓形底座之端面垂直延伸形成,所述旋轉部為圓柱狀,且與所述圓形底座同一中心軸線設置,所述旋轉部的半徑小于等于圓形底座自身半徑。
優選地,所述圓形底座與所述旋轉部相對的平面上開設有扭孔,用以扭動所述定位裝置旋轉。
優選地,所述定位裝置還包括彈簧定位銷,所述旋轉部表面上開設有定位槽,所述彈簧定位銷與所述定位槽可伸縮式接觸對旋轉部定位。
優選地,所述定位槽為開設于所述旋轉部表面上的環形槽。
優選地,所述定位槽為開設于所述旋轉部表面上的環形排布的間隔槽。
本實用新型還提供一種薄膜極化承載組件,其包括上述的薄膜極化過程中的定位裝置以及基座,所述基座上形成有用于放置壓電器件的放置區域及開設于放置區域邊緣的用于供所述旋轉部放入的定位孔,所述定位裝置旋轉部容置于所述定位孔中并可相對所述基座轉動。
優選地,所述基座上還開設有與所述定位孔連通的定位銷孔,所述定位銷孔孔壁與所述彈簧定位銷螺紋配合并通過該定位銷孔穿設于所述基座中與所述旋轉部的定位槽抵接。
本實用新型還提供一種薄膜極化設備,其包括上述的薄膜極化承載組件。
與現有技術相比,本實用新型的一種薄膜極化過程中的定位裝置、薄膜極化承載組件及薄膜極化設備具有如下效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





