[實(shí)用新型]薄膜極化過程中的定位裝置、薄膜極化承載組件及其設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721136045.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207489841U | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王開安 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 王開安 |
| 主分類號(hào): | H01L21/68 | 分類號(hào): | H01L21/68;H01L21/673;H01L41/257 |
| 代理公司: | 深圳市智享知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44361 | 代理人: | 藺顯俊;梁琴琴 |
| 地址: | 美國(guó)加利福*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓電器件 薄膜 定位裝置 本實(shí)用新型 承載組件 極化過程 極化 轉(zhuǎn)動(dòng) 抵接位置 分離位置 分體設(shè)置 極化設(shè)備 極化位置 極化效果 精準(zhǔn)定位 轉(zhuǎn)動(dòng)行程 不接觸 移位 抵接 施力 保證 | ||
1.薄膜極化過程中的定位裝置,其用于對(duì)包含有薄膜的壓電器件定位以避免薄膜在極化過程中移位,其特征在于:所述定位裝置與壓電器件分體設(shè)置并可相對(duì)所述壓電器件轉(zhuǎn)動(dòng),所述定位裝置轉(zhuǎn)動(dòng)行程中包括一抵接位置和一分離位置,所述定位裝置轉(zhuǎn)動(dòng)至所述抵接位置時(shí)與壓電器件邊緣抵接并對(duì)壓電器件邊緣施力以將壓電器件定位,所述定位裝置轉(zhuǎn)動(dòng)至所述分離位置時(shí),所述定位裝置與所述壓電器件不接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜極化過程中的定位裝置,其特征在于:所述定位裝置包括圓形底座及凸設(shè)于圓形底座邊緣的抵接部,所述圓形底座定義一圓心,所述抵接部任一點(diǎn)到圓形底座圓心之距離均大于所述圓形底座自身半徑大小,所述圓形底座自身半徑小于壓電器件邊緣到圓形底座圓心之最小距離且所述抵接部任一點(diǎn)到圓形底座圓心之距離均大于所述壓電器件邊緣到圓形底座圓心之最小距離。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜極化過程中的定位裝置,其特征在于:所述定位裝置還包括旋轉(zhuǎn)部,所述旋轉(zhuǎn)部從圓形底座之端面垂直延伸形成,所述旋轉(zhuǎn)部為圓柱狀,且與所述圓形底座同一中心軸線設(shè)置,所述旋轉(zhuǎn)部的半徑小于等于圓形底座自身半徑。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜極化過程中的定位裝置,其特征在于:所述圓形底座與所述旋轉(zhuǎn)部相對(duì)的平面上開設(shè)有扭孔,用以扭動(dòng)所述定位裝置旋轉(zhuǎn)。
5.如權(quán)利要求3所述的薄膜極化過程中的定位裝置,其特征在于:所述定位裝置還包括彈簧定位銷,所述旋轉(zhuǎn)部表面上開設(shè)有定位槽,所述彈簧定位銷與所述定位槽可伸縮式接觸對(duì)旋轉(zhuǎn)部定位。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜極化過程中的定位裝置,其特征在于:所述定位槽為開設(shè)于所述旋轉(zhuǎn)部表面上的環(huán)形槽。
7.如權(quán)利要求5所述的薄膜極化過程中的定位裝置,其特征在于:所述定位槽為開設(shè)于所述旋轉(zhuǎn)部表面上的環(huán)形排布的間隔槽。
8.薄膜極化承載組件,其特征在于:包括如權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的薄膜極化過程中的定位裝置以及基座,所述基座上形成有用于放置壓電器件的放置區(qū)域及開設(shè)于放置區(qū)域邊緣的用于供所述旋轉(zhuǎn)部放入的定位孔,所述定位裝置旋轉(zhuǎn)部容置于所述定位孔中并可相對(duì)所述基座轉(zhuǎn)動(dòng)。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜極化承載組件,特征在于:所述基座上還開設(shè)有與所述定位孔連通的定位銷孔,所述定位銷孔孔壁與所述彈簧定位銷螺紋配合并通過該定位銷孔穿設(shè)于所述基座中與所述旋轉(zhuǎn)部的定位槽抵接。
10.薄膜極化設(shè)備,其特征在于:包括如權(quán)利要求8所述的薄膜極化承載組件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





