[實用新型]背照式CMOS傳感器的封裝結構有效
| 申請號： | 201721131593.0 | 申請日： | 2017-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN207353252U | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 陳彥亨;林正忠 | 申請（專利權）人： | 中芯長電半導體（江陰）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 羅泳文 |
| 地址： | 214437 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背照式 cmos 傳感器 封裝 結構 | ||
1.一種背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：
重新布線層，包括第一面以及與所述第一面相對的第二面；
背照式CMOS傳感器結構，固定連接于所述重新布線層的第二面；
邏輯芯片，設置于所述重新布線層的第一面，且所述背照式CMOS傳感器結構與所述邏輯芯片通過所述重新布線層實現電性連接；
封裝材料，形成于所述重新布線層的第二面上，并包覆于所述邏輯芯片；
穿孔，形成于所述封裝材料中且露出所述重新布線層；以及
金屬引線結構，制作于所述穿孔中，以實現所述重新布線層、所述背照式CMOS傳感器結構與所述邏輯芯片的電性引出。
2.根據權利要求1所述的背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于：所述金屬引線結構包括金屬柱、焊料球、及金屬柱與焊料凸點所組成的疊層中的一種。
3.根據權利要求2所述的背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于：所述金屬柱包括銅柱、銀柱、金柱、鋁柱及鎢柱中的一種，所述焊料球及焊料凸點包括錫焊料、銀焊料及金錫合金焊料中的一種。
4.根據權利要求1所述的背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于：所述金屬引線結構的高度大于所述邏輯芯片的厚度。
5.根據權利要求1所述的背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于：所述背照式CMOS傳感器結構包括：正面具有圖像傳感器的晶圓；以及透明蓋板，鍵合于所述晶圓的背面。
6.根據權利要求5所述的背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于：所述晶圓的厚度為不大于3μm，以提高所述圖像傳感器的背面感光強度。
7.根據權利要求5所述的背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于：所述透明蓋板基于金錫鍵合層鍵合于所述晶圓的背面。
8.根據權利要求1所述的背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于：所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環氧樹脂中的一種。
9.根據權利要求1所述的背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于：所述重新布線層包括圖形化的介質層以及圖形化的金屬布線層。
10.根據權利要求9所述的背照式CMOS傳感器的封裝結構，其特征在于：所述介質層的材料包括環氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
