[實(shí)用新型]一種芯片堆棧立體封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721089212.7
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN207199611U
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊凌藝
• 申請（專利權(quán)）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所11313
• 代理人: 張臻賢,李夠生

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種芯片堆棧立體封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

目前，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的封裝技術(shù)中，受到芯片封裝厚度和各元件間引線連接長度的限制，封裝結(jié)構(gòu)大致分為兩種：并列多芯片球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)和窗口式多芯片堆棧封裝結(jié)構(gòu)。

如圖1所示，并列多芯片球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)：在基板200的一側(cè)表面的兩端通過凸塊201分別連接有緩存芯片202和存儲器芯片203，在基板200的另一側(cè)表面設(shè)置有球柵陣列端子204，在基板200的一側(cè)表面設(shè)置有密封緩存芯片202和存儲器芯片203的塑封體206。這種封裝結(jié)構(gòu)雖然能夠有效減小封裝體積，但由于緩存芯片202、存儲器芯片203以及球柵陣列焊球204三者間距離較遠(yuǎn)，因此導(dǎo)致連接導(dǎo)線205過長，信號傳輸差。

如圖2所示，窗口式多芯片堆棧封裝結(jié)構(gòu)：在基板300的一側(cè)表面設(shè)置存儲器芯片301，在存儲器芯片301的上面設(shè)置緩存芯片302，在基板300的另一側(cè)表面設(shè)置有球柵陣列端子303，存儲器芯片301和緩存芯片302分別通過焊線304與基板300連接，在基板300上開設(shè)一窗口306，用于容納焊線304，在基板300的一側(cè)表面設(shè)置有密封存儲器芯片301和緩存芯片302的塑封體305.由于存儲器芯片301和緩存芯片302堆棧在基板300同一側(cè)，因此導(dǎo)致封裝結(jié)構(gòu)的厚度變大，并且該封裝技術(shù)中引線304信號傳輸距離過長。

在背景技術(shù)中公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對本實(shí)用新型的背景的理解，因此其可能包含沒有形成為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本申請實(shí)施例希望提供一種芯片堆棧立體封裝結(jié)構(gòu)，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

本申請實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)本申請的一個(gè)實(shí)施例，提供一種芯片堆棧立體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

基板，具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面；

存儲器芯片堆棧體，覆晶接合方式設(shè)置在所述基板的所述第一表面上，主要由多個(gè)存儲芯片堆棧組成，每一所述存儲芯片上均包括有多個(gè)用于電性溝通的導(dǎo)電穿孔，所述存儲器芯片堆棧體具有一安裝表面；

所述存儲器芯片堆棧體還包括第一重布線層，形成于所述存儲器芯片堆棧體的所述安裝表面上，電性連接各所述存儲芯片的各所述導(dǎo)電穿孔至所述基板；

第一底膠，形成于所述存儲器芯片堆棧體與所述基板的所述第一表面之間；

緩存芯片，覆晶接合方式設(shè)置在所述基板的所述第二表面上；及

端子，設(shè)置于所述基板的所述第二表面上；

其中，所述緩存芯片位于所述基板的所述第二表面的中央?yún)^(qū)域，并且所述基板包括電性貫穿所述基板的導(dǎo)通線路和在所述第二表面上的扇出線路，所述導(dǎo)通線路電性連接所述緩存芯片至所述第一重布線層，所述扇出線路電性連接所述緩存芯片至所述端子。

在一些實(shí)施例中，還包括塑封體，形成于所述基板的所述第一表面上，以密封所述存儲器芯片堆棧體，并且具有單面模封型態(tài)，使不干涉所述緩存芯片的設(shè)置。

在一些實(shí)施例中，各所述存儲芯片通過設(shè)置在各所述導(dǎo)電穿孔端部的第一凸塊相互電性連接。

在一些實(shí)施例中，所述端子包含設(shè)置在所述緩存芯片外圍的多個(gè)焊球。

在一些實(shí)施例中，所述基板在所述第二表面上形成金屬墊，使所述端子與所述基板的接合更穩(wěn)固。

在一些實(shí)施例中，所述第一底膠還形成于各所述存儲芯片之間，以密封所述第一凸塊。

在一些實(shí)施例中，所述緩存芯片的厚度小于所述端子的所述焊球直徑。

在一些實(shí)施例中，還包括一第二底膠，形成于所述緩存芯片的一側(cè)表面與所述基板的所述第二表面之間。

在一些實(shí)施例中，所以基板為所述第二表面具有單面重布線層和硅穿孔結(jié)構(gòu)的硅中介板。