[實用新型]一種芯片堆棧立體封裝結構

有效

• 申請號: 201721089212.7
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN207199611U
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 莊凌藝
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所11313
• 代理人: 張臻賢,李夠生

1.一種芯片堆棧立體封裝結構，其特征在于，包括：

基板，具有相對設置的第一表面和第二表面；

存儲器芯片堆棧體，覆晶接合方式設置在所述基板的所述第一表面上，主要由多個存儲芯片堆棧組成，每一所述存儲芯片上均包括有多個用于電性溝通的導電穿孔，所述存儲器芯片堆棧體具有一安裝表面；

所述存儲器芯片堆棧體還包括第一重布線層，形成于所述存儲器芯片堆棧體的所述安裝表面上，電性連接各所述存儲芯片的各所述導電穿孔至所述基板；

第一底膠，形成于所述存儲器芯片堆棧體與所述基板的所述第一表面之間；

緩存芯片，覆晶接合方式設置在所述基板的所述第二表面上；及

端子，設置于所述基板的所述第二表面上；

其中，所述緩存芯片位于所述基板的所述第二表面的中央區域，并且所述基板包括電性貫穿所述基板的導通線路和在所述第二表面上的扇出線路，所述導通線路電性連接所述緩存芯片至所述第一重布線層，所述扇出線路電性連接所述緩存芯片至所述端子。

2.如權利要求1所述的芯片堆棧立體封裝結構，其特征在于，還包括塑封體，形成于所述基板的所述第一表面上，以密封所述存儲器芯片堆棧體，并且具有單面模封型態，使不干涉所述緩存芯片的設置。

3.如權利要求1所述的芯片堆棧立體封裝結構，其特征在于，各所述存儲芯片通過設置在各所述導電穿孔端部的第一凸塊相互電性連接。

4.如權利要求1所述的芯片堆棧立體封裝結構，其特征在于，所述端子包含設置在所述緩存芯片外圍的多個焊球。

5.如權利要求4所述的芯片堆棧立體封裝結構，其特征在于，所述基板在所述第二表面上形成金屬墊，使所述端子與所述基板的接合更穩固。

6.如權利要求3所述的芯片堆棧立體封裝結構，其特征在于，所述第一底膠還形成于各所述存儲芯片之間，以密封所述第一凸塊。

7.如權利要求4所述的芯片堆棧立體封裝結構，其特征在于，所述緩存芯片的厚度小于所述端子的所述焊球直徑。

8.如權利要求1所述的芯片堆棧立體封裝結構，其特征在于，還包括一第二底膠，形成于所述緩存芯片的一側表面與所述基板的所述第二表面之間。

9.如權利要求1所述的芯片堆棧立體封裝結構，其特征在于，所以基板為所述第二表面具有單面重布線層和硅穿孔結構的硅中介板。