[實用新型]用于化學氣相成膜的晶圓傳送腔室及晶圓鍍膜設備

有效

• 申請號: 201721059382.0
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN207068813U
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 胡廣嚴;吳龍江;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

技術領域

本實用新型涉及半導體制造設備技術領域，具體涉及一種用于化學氣相成膜的晶圓傳送腔室及晶圓鍍膜設備。

背景技術

晶圓鍍膜設備一般包括晶圓傳送腔室和晶圓反應腔室。在半導體加工工藝中，待加工的晶圓首先被放置于傳送腔室內，再利用傳輸機構將晶圓從傳送腔室輸送至反應腔室。處于反應腔室中的晶圓被化學氣相鍍膜(Chemical Vapor Deposition,CVD)，待晶圓在反應腔室中被鍍膜之后，利用傳輸機構將晶圓輸送至傳送腔室，最后將鍍膜后的晶圓從傳送腔室中取出。

但是，晶圓鍍膜設備在使用一段時間之后，傳送腔室中往往會聚集一部分雜質，雜質會粘附在傳送腔室的腔室蓋的內表面，附著于腔室蓋的雜質在重力作用下有可能掉落在晶圓上，污染晶圓，產生缺陷，導致產品不良。

實用新型內容

本實用新型解決的問題是現有技術中的晶圓傳送腔室內會聚集一部分雜質，容易污染晶圓，導致產品不良。

為解決上述問題，本實用新型提供一種用于化學氣相成膜的晶圓傳送腔室，包括：腔室本體；腔室蓋，固定設置于所述腔室本體，與所述腔室本體圍成適于容納晶圓的容納腔；加熱元件，固定設置于所述腔室蓋，能夠升溫以加熱所述腔室蓋。

可選的，所述加熱元件固定設置在所述腔室蓋的內部；和/或，固定設置在所述腔室蓋的內表面；和/或，固定設置在所述腔室蓋的外表面。

可選的，所述加熱元件為電熱元件。

可選的，所述晶圓傳送腔室還包括隔熱件，所述隔熱件覆蓋于所述腔室蓋的外表面。

可選的，所述晶圓傳送腔室還包括充氣管，所述充氣管連通容納腔和外界，適于對所述容納腔進行充氣。

可選的，所述充氣管延伸至所述容納腔內，位于容納腔內的所述充氣管的端部朝向所述腔室蓋的內表面。

可選的，從所述腔室蓋內表面的中心位置至所述腔室蓋內表面的周邊位置，所述內表面與所述腔室本體之間的高度差逐漸減小。

可選的，所述腔室蓋的內表面為圓錐面或者球形面。

可選的，所述腔室蓋的內表面涂覆有防粘附涂層。

可選的，所述腔室本體包括底壁和周向圍繞所述底壁的側壁，所述加熱元件還固定設置于所述側壁，能夠升溫以加熱所述側壁。

為解決上述技術問題，本技術方案還提供一種晶圓鍍膜設備，包括以上所述的晶圓傳送腔室。

與現有技術相比，本實用新型的技術方案具有以下優點：

所述的晶圓傳送腔室，通過在腔室蓋固定設置加熱元件，加熱元件能夠升溫以加熱腔室。因此，當晶圓在反應腔室中被鍍膜后，傳輸機構將晶圓從反應腔室傳送至傳送腔室的過程中，化學氣相鍍膜過程中所剩余的氣相化合物和生成的附加產物會擴展至傳送腔室內，此時，通過控制加熱元件升溫，從而能夠加熱腔室蓋，當腔室蓋具有較高的溫度時，不易使氣相化合物和附加產物冷凝成為雜質而粘附在腔室蓋的內表面，因而能夠避免污染晶圓。

進一步的，將腔室蓋的內表面設計為：從腔室蓋內表面的中心位置至腔室蓋內表面的周邊位置，所述腔室蓋內表面與所述腔室本體之間的高度差逐漸減小，因此，即使有一部分氣相化合物和附加產物在腔室蓋的內表面冷凝生成雜質時，所冷凝的雜質也會因重力作用從所述中心位置流向周邊位置，由于晶圓處于容納腔的中心區域，位于周邊位置的雜質也不會掉落在晶圓上，從而進一步避免晶圓遭受污染。

進一步的，通過在腔室蓋的外表面設置隔熱件，隔熱件適于隔絕腔室蓋和外界，能夠避免將溫度較高的腔室蓋暴露在外，燙傷工作人員。同時，還能夠避免腔室蓋的熱量傳遞至外界，造成能量的損失。

附圖說明

圖1是本實用新型第一實施例晶圓傳送腔室的剖切圖，以顯示晶圓傳送腔室的內部結構；

圖2是本實用新型第一實施例晶圓傳送腔室中腔室本體的立體結構圖；

圖3是本實用新型第一實施例晶圓傳送腔室中腔室蓋的立體結構圖；

圖4是本實用新型第二實施例晶圓傳送腔室的剖切圖，以顯示晶圓傳送腔室的內部結構。

具體實施方式

晶圓鍍膜設備一般處于潔凈度要求較高的環境中，晶圓傳送腔室內的雜質不是外界環境所引入的雜質，而是在晶圓鍍膜過程中所產生的。

發明人經研究發現：當晶圓在反應腔室內化學氣相鍍膜時，含有薄膜元素的氣相化合物(例如碳氫化合物)被排入至反應腔室中，化合物在晶圓表面上發生化學反應生成薄膜。此時的反應腔室具有較高的溫度(約400℃－500℃)以利于發生化學反應。