[實用新型]用于化學氣相成膜的晶圓傳送腔室及晶圓鍍膜設備有效
| 申請號： | 201721059382.0 | 申請日： | 2017-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN207068813U | 公開（公告）日： | 2018-03-02 |
| 發明（設計）人： | 胡廣嚴;吳龍江;林宗賢 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 吳敏 |
| 地址： | 223302 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 化學 相成 傳送 鍍膜 設備 | ||
1.一種用于化學氣相成膜的晶圓傳送腔室，其特征在于，包括：
腔室本體；
腔室蓋，固定設置于所述腔室本體，與所述腔室本體圍成適于容納晶圓的容納腔；
加熱元件，固定設置于所述腔室蓋，能夠升溫以加熱所述腔室蓋。
2.如權利要求1所述的晶圓傳送腔室，其特征在于，所述加熱元件固定設置在所述腔室蓋的內部；和/或，固定設置在所述腔室蓋的內表面；和/或，固定設置在所述腔室蓋的外表面。
3.如權利要求1或2所述的晶圓傳送腔室，其特征在于，所述加熱元件為電熱元件。
4.如權利要求1所述的晶圓傳送腔室，其特征在于，還包括隔熱件，所述隔熱件覆蓋于所述腔室蓋的外表面。
5.如權利要求1所述的晶圓傳送腔室，其特征在于，還包括充氣管，所述充氣管連通容納腔和外界，適于對所述容納腔進行充氣。
6.如權利要求5所述的晶圓傳送腔室，其特征在于，所述充氣管延伸至所述容納腔內，位于容納腔內的所述充氣管的端部朝向所述腔室蓋的內表面。
7.如權利要求1所述的晶圓傳送腔室，其特征在于，從所述腔室蓋內表面的中心位置至所述腔室蓋內表面的周邊位置，所述內表面與所述腔室本體之間的高度差逐漸減小。
8.如權利要求7所述的晶圓傳送腔室，其特征在于，所述腔室蓋的內表面為圓錐面或者球形面。
9.如權利要求1所述的晶圓傳送腔室，其特征在于，所述腔室蓋的內表面涂覆有防粘附涂層。
10.如權利要求1所述的晶圓傳送腔室，其特征在于，所述腔室本體包括底壁和周向圍繞所述底壁的側壁，所述加熱元件還固定設置于所述側壁，能夠升溫以加熱所述側壁。
11.一種晶圓鍍膜設備，其特征在于，包括權利要求1－10任一項所述的晶圓傳送腔室。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
