[實(shí)用新型]放電裝置與高功率半導(dǎo)體激光器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721059327.1
• 申請(qǐng)日: 2017-08-21
• 公開（公告）號(hào): CN207265413U
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘緒浪;朱寶華;陸業(yè)釗;羅又輝;王瑾;高云峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/042
• 分類號(hào): H01S5/042
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 何平

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及激光器焊接領(lǐng)域，特別是涉及一種放電裝置與高功率半導(dǎo)體激光器。

背景技術(shù)

激光焊接是一種新興的焊接工藝，其相對(duì)各種傳統(tǒng)焊接工藝，具有的最大的優(yōu)勢(shì)在于焊接能量密度高、熱影響范圍小、變形小以及焊縫精美。并且，由于激光焊接技術(shù)具有熔池凈化效應(yīng)，能夠純凈焊接材料，因此有利于同種或者不同種材料的焊接，特別適用于相同或不同金屬材料、塑料等材料的焊接。

而對(duì)于中厚板焊接需要更高功率的激光器焊接，例如應(yīng)用廣泛的高功率半導(dǎo)體激光器。然而由于設(shè)計(jì)高功率半導(dǎo)體激光器需要布局較多的LD(激光二極管)，會(huì)造成負(fù)載寄生參數(shù)電容容抗升高，同時(shí)斷電時(shí)存儲(chǔ)的電量過高，而導(dǎo)致系統(tǒng)斷電時(shí)負(fù)載端電壓還處于高壓階段，緩慢放電，因此容易存在一定的安全因素，同時(shí)也增加了激光器的故障率。

實(shí)用新型內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)高功率半導(dǎo)體激光器的負(fù)載端殘留電量，造成高功率半導(dǎo)體激光器存在一定的安全隱患，故障率較高的問題，提供一種能夠確保激光器的負(fù)載端的殘留電量可以快速放完，降低激光器故障率的放電裝置與高功率半導(dǎo)體激光器。

一種放電裝置，包括電源、第一晶體管、第二晶體管以及控制電路；所述電源的正極與所述第一晶體管的漏極連接，所述第一晶體管的源極用于與激光二極管的正極連接，所述電源的負(fù)極用于與所述激光二極管的負(fù)極連接，所述第一晶體管的柵極與所述控制電路的第一輸出端連接；所述第二晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接，所述第二晶體管的源極用于與所述激光二極管的負(fù)極連接，所述第二晶體管的柵極與所述控制電路的第二輸出端連接。

在其中一實(shí)施例中，還包括第三晶體管，所述第三晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接，所述第三晶體管的源極用于與所述激光二極管的正極連接，所述第三晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接，所述第三晶體管的柵極與所述控制電路的第三輸出端連接。

在其中一實(shí)施例中，還包括第四晶體管，所述第四晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接，所述第四晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接，所述第四晶體管的柵極與所述控制電路的第四輸出端連接。

在其中一實(shí)施例中，述第一晶體管的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述第一晶體管依次串聯(lián)。

在其中一實(shí)施例中，所述控制電路包括單片機(jī)。

在其中一實(shí)施例中，所述單片機(jī)為數(shù)字信號(hào)處理器芯片。

在其中一實(shí)施例中，所述單片機(jī)為微程序控制器芯片。

在其中一實(shí)施例中，所述控制電路的輸入端與所述電源連接。

在其中一實(shí)施例中，還包括第三晶體管與第四晶體管；所述第三晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接，所述第三晶體管的源極用于與所述激光二極管的正極，所述第三晶體管的源極還與所述第四晶體管的漏極連接，所述第三晶體管的柵極與所述控制電路的第三輸出端連接，所述第四晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接，所述第四晶體管的柵極與所述控制電路的第四輸出端連接。

一種高功率半導(dǎo)體激光器，包括激光二極管，還包括所述的放電裝置。

上述放電裝置與高功率半導(dǎo)體激光器，通過在電路中設(shè)置第一晶體管，通過控制電路提供上電信號(hào)使得第一晶體管導(dǎo)通，從而實(shí)現(xiàn)負(fù)載端的激光二極管受電發(fā)出激光，同時(shí)通過在電路中設(shè)置放電用的第二晶體管，將放電用的第二晶體管與控制電路連接，使得控制電路在控制第一晶體管截止的同時(shí)使得第二晶體管導(dǎo)通，從而實(shí)現(xiàn)通過第二晶體管將負(fù)載端的電壓迅速降低至安全電壓，從而降低了高功率半導(dǎo)體激光器的故障率。

附圖說明

圖1為一實(shí)施例的放電裝置的結(jié)構(gòu)框圖；

圖2為另一實(shí)施例的放電裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式的目的是使對(duì)本實(shí)用新型的公開內(nèi)容理解的更加透徹全面。

需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“設(shè)置于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“頂部”、“底部”、“底端”、“頂端”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實(shí)施方式。