[實用新型]放電裝置與高功率半導體激光器有效
| 申請號： | 201721059327.1 | 申請日： | 2017-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN207265413U | 公開（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發明（設計）人： | 鐘緒浪;朱寶華;陸業釗;羅又輝;王瑾;高云峰 | 申請（專利權）人： | 大族激光科技產業集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 放電 裝置 功率 半導體激光器 | ||
1.一種放電裝置，其特征在于，包括電源、第一晶體管、第二晶體管以及控制電路；
所述電源的正極與所述第一晶體管的漏極連接，所述第一晶體管的源極用于與激光二極管的正極連接，所述電源的負極用于與所述激光二極管的負極連接，所述第一晶體管的柵極與所述控制電路的第一輸出端連接；
所述第二晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接，所述第二晶體管的源極用于與所述激光二極管的負極連接，所述第二晶體管的柵極與所述控制電路的第二輸出端連接。
2.根據權利要求1所述的放電裝置，其特征在于，還包括第三晶體管，所述第三晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接，所述第三晶體管的源極用于與所述激光二極管的正極連接，所述第三晶體管的源極還與所述第二晶體管的漏極連接，所述第三晶體管的柵極與所述控制電路的第三輸出端連接。
3.根據權利要求1所述的放電裝置，其特征在于，還包括第四晶體管，所述第四晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接，所述第四晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接，所述第四晶體管的柵極與所述控制電路的第四輸出端連接。
4.根據權利要求1所述的放電裝置，其特征在于，所述第一晶體管的數量為多個，多個所述第一晶體管依次串聯。
5.根據權利要求1所述的放電裝置，其特征在于，所述控制電路包括單片機。
6.根據權利要求5所述的放電裝置，其特征在于，所述單片機為數字信號處理器芯片。
7.根據權利要求5所述的放電裝置，其特征在于，所述單片機為微程序控制器芯片。
8.根據權利要求1所述的放電裝置，其特征在于，所述控制電路的輸入端與所述電源連接。
9.根據權利要求1所述的放電裝置，其特征在于，還包括第三晶體管與第四晶體管；
所述第三晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接，所述第三晶體管的源極用于與所述激光二極管的正極，所述第三晶體管的源極還與所述第四晶體管的漏極連接，所述第三晶體管的柵極與所述控制電路的第三輸出端連接，所述第四晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接，所述第四晶體管的柵極與所述控制電路的第四輸出端連接。
10.一種高功率半導體激光器，包括激光二極管，其特征在于，還包括如權利要求1至9中任一項所述的放電裝置。
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