[實(shí)用新型]放電裝置與高功率半導(dǎo)體激光器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721059327.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207265413U | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鐘緒浪;朱寶華;陸業(yè)釗;羅又輝;王瑾;高云峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01S5/042 | 分類號(hào): | H01S5/042 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 放電 裝置 功率 半導(dǎo)體激光器 | ||
1.一種放電裝置,其特征在于,包括電源、第一晶體管、第二晶體管以及控制電路;
所述電源的正極與所述第一晶體管的漏極連接,所述第一晶體管的源極用于與激光二極管的正極連接,所述電源的負(fù)極用于與所述激光二極管的負(fù)極連接,所述第一晶體管的柵極與所述控制電路的第一輸出端連接;
所述第二晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接,所述第二晶體管的源極用于與所述激光二極管的負(fù)極連接,所述第二晶體管的柵極與所述控制電路的第二輸出端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電裝置,其特征在于,還包括第三晶體管,所述第三晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接,所述第三晶體管的源極用于與所述激光二極管的正極連接,所述第三晶體管的源極還與所述第二晶體管的漏極連接,所述第三晶體管的柵極與所述控制電路的第三輸出端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電裝置,其特征在于,還包括第四晶體管,所述第四晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接,所述第四晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接,所述第四晶體管的柵極與所述控制電路的第四輸出端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電裝置,其特征在于,所述第一晶體管的數(shù)量為多個(gè),多個(gè)所述第一晶體管依次串聯(lián)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電裝置,其特征在于,所述控制電路包括單片機(jī)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的放電裝置,其特征在于,所述單片機(jī)為數(shù)字信號(hào)處理器芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的放電裝置,其特征在于,所述單片機(jī)為微程序控制器芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電裝置,其特征在于,所述控制電路的輸入端與所述電源連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電裝置,其特征在于,還包括第三晶體管與第四晶體管;
所述第三晶體管的漏極與所述第一晶體管的源極連接,所述第三晶體管的源極用于與所述激光二極管的正極,所述第三晶體管的源極還與所述第四晶體管的漏極連接,所述第三晶體管的柵極與所述控制電路的第三輸出端連接,所述第四晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接,所述第四晶體管的柵極與所述控制電路的第四輸出端連接。
10.一種高功率半導(dǎo)體激光器,包括激光二極管,其特征在于,還包括如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的放電裝置。
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