[實(shí)用新型]一種改良型芯片頂針結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721029103.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207052587U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 駱宗友;劉忠玉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東莞市佳駿電子科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/683 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/683;H01L21/687 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改良 芯片 頂針 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及二極管加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種改良型芯片頂針結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
固晶又稱(chēng)為Die Bond或裝片。固晶即通過(guò)膠體(對(duì)于LED來(lái)說(shuō)一般是導(dǎo)電膠或絕緣膠)把晶片粘結(jié)在支架的指定區(qū)域,形成熱通路或電通路,為后序的打線(xiàn)連接提供條件的工序。
在進(jìn)行固晶前,有一工序?yàn)樾酒瑩焓肮ば颍矗簩⑴帕叙べN在藍(lán)膜上的芯片吸起,將芯片與藍(lán)膜分離,再將吸起的芯片裝配到支架內(nèi)。現(xiàn)有技術(shù)中的芯片撿拾結(jié)構(gòu)包括真空頂針帽、貫穿設(shè)置在真空頂針帽內(nèi)的頂針、與真空頂針帽對(duì)應(yīng)的真空吸嘴,真空頂針帽通過(guò)接管與真空發(fā)生器連接。實(shí)際操作時(shí),真空發(fā)生器通過(guò)接管使真空頂針帽內(nèi)產(chǎn)生負(fù)氣壓,帶有負(fù)氣壓的真空頂針帽將置于真空頂針帽上方的藍(lán)膜吸住,隨后,動(dòng)力機(jī)構(gòu)帶動(dòng)頂針伸出真空頂針帽,伸出真空頂針帽的頂針端部刺穿藍(lán)膜并且對(duì)應(yīng)將置于藍(lán)膜上方的芯片頂起一定距離,此時(shí),真空吸嘴將被頂起的芯片吸走即完成撿拾動(dòng)作。
現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷是:首先,頂針的端部為尖錐形,對(duì)于一些底面積小于0.49mm2的芯片適用,但是,對(duì)于一些底面積大于0.49mm2的芯片就并不適用,因?yàn)榈酌娣e較大的芯片與藍(lán)膜的接觸面積增加,其黏力也對(duì)應(yīng)增大,即頂針的端部將芯片頂起的過(guò)程中需要用更大的力,但由于頂針的端部為尖錐形,頂針與芯片為點(diǎn)接觸,如此一來(lái),經(jīng)常發(fā)生頂針將芯片頂起過(guò)來(lái)中由于芯片與藍(lán)膜的的黏力增大導(dǎo)致芯片被頂損傷,變形,破損的情況,影響產(chǎn)品的質(zhì)量;其次,藍(lán)膜每次都需要被刺穿才能實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的頂起,被刺穿藍(lán)膜的過(guò)程頂針尖部容易磨損或斷裂,不能重復(fù)使用,非常不環(huán)保。
實(shí)用新型內(nèi)容
基于此,本實(shí)用新型的目的在于提供一種改良型芯片頂針結(jié)構(gòu),一方面解決了芯片在頂起過(guò)程中芯片背面金屬層受損的問(wèn)題,另一方面也使藍(lán)膜不被刺穿,減少頂針的磨損,提高使用壽命,可以循環(huán)再利用,既環(huán)保,又節(jié)省生產(chǎn)耗材。
本實(shí)用新型提供一種改良型芯片頂針結(jié)構(gòu),包括真空頂帽,所述真空頂帽內(nèi)包括真空內(nèi)腔、氣孔,所述真空內(nèi)腔通過(guò)接管與真空發(fā)生器連接,所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)置有與外部相通的頂針通道,所述頂針通道內(nèi)設(shè)置有柱狀的頂針,所述頂針的底部與升降動(dòng)力機(jī)構(gòu)連接,所述頂針的頂部設(shè)置為球形。
作為優(yōu)選方案,所述頂針底部的橫截面直徑設(shè)置為0.25mm-0.45mm。
作為優(yōu)選方案,所述頂針設(shè)置為合金頂針。
作為優(yōu)選方案,所述頂針頂部的直徑設(shè)置為0.2mm-0.55mm。
作為優(yōu)選方案,所述頂針處于頂起狀態(tài)時(shí),所述頂針的頂部伸出所述真空頂帽上表面的長(zhǎng)度為0.7mm-1.0mm。
本實(shí)用新型的有益效果為:頂針的頂部設(shè)置為球形,升降動(dòng)力機(jī)構(gòu)將頂針頂起后,頂針的球形頂部與藍(lán)膜的下表面接觸,將帶芯片的藍(lán)膜逐漸頂起,在藍(lán)膜被頂起的過(guò)程中,芯片的周邊逐漸與藍(lán)膜進(jìn)行分離,直至芯片的中心位置與藍(lán)膜接觸,此時(shí),再由真空吸嘴將芯片吸走,通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)置,能夠?qū)Φ酌娣e大于0.49mm2的芯片進(jìn)行撿拾,有效避免了芯片在被頂起過(guò)程中與藍(lán)膜的拉扯變形問(wèn)題,并且,由于頂針與藍(lán)膜的接觸面積加大,無(wú)需刺破藍(lán)膜,解決了芯片在頂起過(guò)程中芯片背面金屬層受損的問(wèn)題,減少頂針的磨損,提高使用壽命,可以循環(huán)再利用,既環(huán)保,又節(jié)省生產(chǎn)耗材。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型使用狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記為:真空頂帽10、頂針11、頂針通道12、氣孔13、真空內(nèi)腔14、升降動(dòng)力機(jī)構(gòu)15、接管16、真空發(fā)生器17、芯片18、真空吸嘴19、藍(lán)膜20。
具體實(shí)施方式
為能進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征、技術(shù)手段以及所達(dá)到的具體目的、功能,下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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