[實用新型]一種改良型芯片頂針結構有效
| 申請號: | 201721029103.6 | 申請日: | 2017-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN207052587U | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發明(設計)人: | 駱宗友;劉忠玉 | 申請(專利權)人: | 東莞市佳駿電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 東莞市永橋知識產權代理事務所(普通合伙)44400 | 代理人: | 何新華 |
| 地址: | 523808 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改良 芯片 頂針 結構 | ||
1.一種改良型芯片頂針結構,包括真空頂帽(10),所述真空頂帽(10)內包括真空內腔(14)、氣孔(13),所述真空內腔(14)通過接管(16)與真空發生器(17)連接,其特征在于:所述真空內腔(14)內設置有與外部相通的頂針通道(12),所述頂針通道(12)內設置有柱狀的頂針(11),所述頂針(11)的底部與升降動力機構(15)連接,所述頂針(11)的頂部設置為球形。
2.根據權利要求1所述的一種改良型芯片頂針結構,其特征在于:所述頂針(11)底部的橫截面直徑設置為0.25mm-0.45mm。
3.根據權利要求1所述的一種改良型芯片頂針結構,其特征在于:所述頂針(11)設置為鋁合金頂針。
4.根據權利要求1所述的一種改良型芯片頂針結構,其特征在于:所述頂針(11)頂部的直徑設置為0.25mm-0.55mm。
5.根據權利要求1所述的一種改良型芯片頂針結構,其特征在于:所述頂針(11)處于頂起狀態時,所述頂針(11)的頂部伸出所述真空頂帽(10)上表面的長度為0.7mm-1.0mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





