[實(shí)用新型]多層布線板及其高頻高速基板結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721013342.2
• 申請(qǐng)日: 2017-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN207219148U
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李謨霖;郭加弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 嘉聯(lián)益電子(昆山)有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02
• 代理公司: 北京律和信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11446
• 代理人: 劉國(guó)偉,項(xiàng)榮

1.一種高頻高速基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高頻高速基板結(jié)構(gòu)包括：

一低吸濕的介電基板層，包括一經(jīng)改質(zhì)的液晶高分子層或一經(jīng)改質(zhì)的聚酰亞胺層；以及

一金屬層，形成于所述低吸濕的介電基板層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻高速基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低吸濕的介電基板層還包括一黏著劑層，所述黏著劑層形成于所述經(jīng)改質(zhì)的液晶高分子層的一面上，且所述金屬層形成于所述經(jīng)改質(zhì)的液晶高分子層的相對(duì)另一面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻高速基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低吸濕的介電基板層還包括一黏著劑層，所述黏著劑層形成于所述經(jīng)改質(zhì)的聚酰亞胺層的一面上，且所述金屬層形成于所述經(jīng)改質(zhì)的聚酰亞胺層的相對(duì)另一面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻高速基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低吸濕的介電基板層的厚度介于12微米至250微米之間。

5.一種高頻高速基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高頻高速基板結(jié)構(gòu)包括：

一低吸濕的介電基板層，其具有相對(duì)的一第一表面以及一第二表面，其中所述低吸濕的介電基板層包括一經(jīng)改質(zhì)的液晶高分子層或一經(jīng)改質(zhì)的聚酰亞胺層；

一第一金屬層，其形成于所述第一表面上；以及

一第二金屬層，其形成于所述第二表面上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻高速基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低吸濕的介電基板層還包括一第一黏著劑層以及一第二黏著劑層，所述第一金屬層通過所述第一黏著劑層結(jié)合于所述經(jīng)改質(zhì)的液晶高分子層的一面上，且所述第二金屬層通過所述第二黏著劑層結(jié)合于所述經(jīng)改質(zhì)的液晶高分子層的相對(duì)另一面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻高速基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低吸濕的介電基板層還包括一第一黏著劑層以及一第二黏著劑層，所述第一金屬層通過所述第一黏著劑層結(jié)合于所述經(jīng)改質(zhì)的聚酰亞胺層的一面上，且所述第二金屬層通過所述第二黏著劑層結(jié)合于所述聚酰亞胺層的相對(duì)另一面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻高速基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低吸濕的介電基板層的厚度介于12微米至250微米之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的高頻高速基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述經(jīng)改質(zhì)的液晶高分子層或所述經(jīng)改質(zhì)的聚酰亞胺層的結(jié)構(gòu)組成中具有芳香族單體。

10.一種多層布線板，其特征在于，所述多層布線板是使用至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻高速基板結(jié)構(gòu)與至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻高速基板結(jié)構(gòu)堆棧而成。