[實用新型]互補型TFET

有效

• 申請號: 201721008382.8
• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN207542246U
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 張捷
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本實用新型涉及一種互補型TFET100，包括：Si襯底101；Ge外延層102，設置于襯底101上表面；GeSn層103，設置于Ge外延層102上表面；P型基底104、N型基底105，設置于GeSn層103內；第一源區106、第一漏區107，設置于P型基底104內并位于兩側位置處；第二源區108、第二漏區109，設置于N型基底105內并位于兩側位置處；第一源區電極110，設置于第一源區106上表面；第一漏區電極111，設置于第一漏區107上表面；第二源區電極112，設置于第二源區108上表面；第二漏區電極113，設置于第二漏區109上表面。本實用新型提供的互補型TFET，可有效降低Ge外延層的位錯密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge外延層的質量從而得到更高質量的GeSn外延層，為高性能TFET的制備提供物質基礎。

技術領域

本實用新型涉及集成電路技術領域，特別涉及一種互補型TFET。

背景技術

半導體行業是現代科技的象征，伴隨著近幾十年現代科技行業日新月異的進步，以集成電路為主的半導體行業市場規模也不斷增長，現在已經成為了全球經濟的重要支柱行業之一。隨著半導體器件特征尺寸的不斷減小，尤其是進入納米尺寸之后，器件中的短溝效應等負面效應對器件泄露電流、亞閾特性、開態/關態電流等性能的影響越來越突出，電路速度和功耗的矛盾也將愈加嚴重。

針對這一問題，目前已提出較為有效的辦法是可以通過采用低亞閾值擺幅的新型器件隧穿場效應晶體管取代傳統的MOSFET來減小短溝道效應的影響。隧穿場效應晶體管(tunnelingfieldeffecttransistor,簡稱TFET)是一種PIN結構的晶體管，它基于載流子的量子隧穿效應工作，并且可以通過器件優化，使得隧穿晶體管的亞閾值擺幅在室溫里降到60mV/dec以下。利用互補型TFET代替傳統CMOS，可以進一步縮小電路尺寸，降低電壓，減小功耗。

但是由于隧穿晶體管的開態電流較小，使其電路性能不足，限制了隧穿晶體管的應用。

實用新型內容

因此，為解決現有技術存在的技術缺陷和不足，本實用新型提出一種互補型TFET。

具體地，本實用新型一個實施例提出的一種互補型TFET100，包括：

Si襯底101；

Ge外延層102，設置于所述襯底101上表面；

GeSn層103，設置于所述Ge外延層102上表面；

P型基底104、N型基底105，設置于所述GeSn層103內；

第一源區106、第一漏區107，設置于所述P型基底104內并位于兩側位置處；

第二源區108、第二漏區109，設置于所述N型基底105內并位于兩側位置處；

第一源區電極110，設置于所述第一源區106上表面；

第一漏區電極111，設置于所述第一漏區107上表面；

第二源區電極112，設置于所述第二源區108上表面；

第二漏區電極113，設置于所述第二漏區109上表面。

在本實用新型的一個實施例中，所述Si襯底101為N型單晶硅且其摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-3。

在本實用新型的一個實施例中，所述GeSn層103為N型摻雜且其厚度為140～160nm。

在本實用新型的一個實施例中，所述第一源區電極110、所述第一漏區電極111、所述第二源區電極112及所述第二漏區電極113的厚度均為 20～30nm。