[實(shí)用新型]互補(bǔ)型TFET有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721008382.8 | 申請日： | 2017-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN207542246U | 公開（公告）日： | 2018-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張捷 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/082 | 分類號： | H01L27/082 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 上表面 漏區(qū) 外延層 基底 源區(qū) 互補(bǔ)型 本實(shí)用新型 兩側(cè)位置 源區(qū)電極 電極 襯底 表面粗糙度 界面缺陷 物質(zhì)基礎(chǔ) 位錯 制備 | ||
1.一種互補(bǔ)型TFET(100)，其特征在于，包括：
Si襯底(101)；
Ge外延層(102)，設(shè)置于所述襯底(101)上表面；
GeSn層(103)，設(shè)置于所述Ge外延層(102)上表面；
P型基底(104)、N型基底(105)，設(shè)置于所述GeSn層(103)內(nèi)；
第一源區(qū)(106)、第一漏區(qū)(107)，設(shè)置于所述P型基底(104)內(nèi)并位于兩側(cè)位置處；
第二源區(qū)(108)、第二漏區(qū)(109)，設(shè)置于所述N型基底(105)內(nèi)并位于兩側(cè)位置處；
第一源區(qū)電極(110)，設(shè)置于所述第一源區(qū)(106)上表面；
第一漏區(qū)電極(111)，設(shè)置于所述第一漏區(qū)(107)上表面；
第二源區(qū)電極(112)，設(shè)置于所述第二源區(qū)(108)上表面；
第二漏區(qū)電極(113)，設(shè)置于所述第二漏區(qū)(109)上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型TFET(100)，其特征在于，所述Si襯底(101)為N型單晶硅且其摻雜濃度為5×1018cm-3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型TFET(100)，其特征在于，所述GeSn層(103)為N型摻雜且其厚度為140～160nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型TFET(100)，其特征在于，所述第一源區(qū)電極(110)、所述第一漏區(qū)電極(111)、所述第二源區(qū)電極(112)及所述第二漏區(qū)電極(113)的厚度均為20～30nm。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
