[實用新型]光電探測器

有效

• 申請號: 201721004069.7
• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN207441732U
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 張捷
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L31/105
• 分類號: H01L31/105;H01L31/028;H01L31/18
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本實用新型涉及一種光電探測器。包括：SOI襯底11，包括依次層疊設置的Si襯底層(110)、SiO2層(120)和Si層，所述Si層包括水平方向依次排列的N型摻雜區(111)、i型區(112)和P型摻雜區(113)；晶化Ge層(12)，設置于所述i型區(112)表面上；金屬電極(13)，所述金屬電極(13)分別設置于所述N型摻雜區(111)和所述P型摻雜區(113)之上；SiO2鈍化層(14)，設置于所述晶化Ge層(12)和所述Si層之上。本實用新型提供的光電探測器，結構簡單，Ge/Si界面缺陷密度低，暗電流小，有利于提高器件的量子效率。

技術領域

本實用新型屬于半導體器件技術領域，具體涉及一種光電探測器。

背景技術

光纖通信技術(optical fiber communications)從光通信中脫穎而出，已成為現代通信的主要支柱之一，在現代電信網中起著舉足輕重的作用。光纖通信作為一門新興技術，其近年來發展速度之快、應用面之廣是通信史上罕見的，也是世界新技術革命的重要標志和未來信息社會中各種信息的主要傳送工具。

光電探測器作為光纖通信的重要器件，對其性能的要求也日益增高。現有技術中的半導體探測器常選用InGaAs和InSb等材料，這種光電探測器的缺點為價格昂貴、導熱性能和機械性能較差，且與現有的成熟的Si工藝兼容性差，已經制約了在該領域的發展和應用。因此如何研制出高性能、低成本的光電探測器有著非常重要的意義。

實用新型內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本實用新型提供了一種光電探測器。

本實用新型的一個實施例提供了一種光電探測器，包括：

SOI襯底11，包括依次層疊設置的Si襯底層(110)、SiO2層120和Si層，所述Si層包括水平方向依次排列的N型摻雜區111、i型區112和P型摻雜區113；

晶化Ge層12，設置于所述i型區112表面上；

金屬電極13，所述金屬電極13分別設置于所述N型摻雜區111和所述P型摻雜區113之上；

SiO2鈍化層14，設置于所述晶化Ge層12和所述Si層之上。

在本實用新型的一個實施例中，所述SiO2層120的厚度為1μm。

在本實用新型的一個實施例中，所述金屬電極13材料為Cr或者Au或者Ni。

在本實用新型的一個實施例中，所述晶化Ge層12厚度為190～300nm。

在本實用新型的一個實施例中，所述SiO2鈍化層14的厚度為300～350nm。

本實用新型提供的光電探測器，結構簡單，Ge/Si界面缺陷密度低，暗電流小，有利于提高器件的量子效率。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的一種光電探測器的結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的一種激光晶化工藝的示意圖；

圖3a-圖3j為本實用新型實施例提供的一種光電探測器的制備工藝示意圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本實用新型做進一步詳細的描述，但本實用新型的實施方式不限于此。

實施例一