[實用新型]光電探測器有效
| 申請號： | 201721004069.7 | 申請日： | 2017-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN207441732U | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發明（設計）人： | 張捷 | 申請（專利權）人： | 西安科銳盛創新科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/105 | 分類號： | H01L31/105;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光電探測器 本實用新型 金屬電極 晶化 界面缺陷 量子效率 依次層疊 依次排列 暗電流 襯底層 襯底 | ||
【權利要求書】：
1.一種光電探測器，其特征在于，包括：
SOI襯底(11)，包括依次層疊設置的Si襯底層(110)、SiO
晶化Ge層(12)，設置于所述i型區(112)表面上；
金屬電極(13)，所述金屬電極(13)分別設置于所述N型摻雜區(111)和所述P型摻雜區(113)之上；
SiO
2.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述SiO
3.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述金屬電極(13)材料為Cr或者Au或者Ni。
4.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述晶化Ge層(12)厚度為190～300nm。
5.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述SiO
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
