[實用新型]一種低寄生電感功率模塊的封裝結構

有效

• 申請號: 201720987458.X
• 申請日: 2017-08-03
• 公開（公告）號: CN206976342U
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 張浩
• 申請（專利權）人: 張浩
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/492
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司32200
• 代理人: 唐循文

1.一種低寄生電感功率模塊的封裝結構，其特征在于：包括一底座，在底座上設有第一層基板，在第一層基板上設有第二層基板，底座上還安裝有一外殼，第一層基板和第二層基板置于底座與外殼構成的空間內，所述第一層基板為DCB板；第一層基板上安設上開關管、下開關管、溫度電偶、相功率端子、上開關管源極信號端子、上開關管柵極信號端子、下開關管源極信號端子和下開關管柵極信號端子，上開關源極信號端子和上開關管柵極信號端子分別引線連接至上開關管的源極和柵極，下開關管源極信號端子和下開關管柵極信號端子分別引線連接至下開關管的源極和柵極，相功率端子引線連接至下開關管的漏極；第二層基板上安設輸入功率端子、輸出功率端子以及減小整個模塊寄生電感的電容；外殼的頂蓋上設有供相功率端子、輸入功率端子和輸出功率端子伸出的開口，外殼的頂端上設有供上開關管源極信號端子、上開關管柵極信號端子、下開關管源極信號端子、下開關管柵極信號端子以及溫度電偶正負極伸出的開孔。

2.根據權利要求1所述低寄生電感功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述第二層基板為DCB板或者由絕緣材料和導電材料組成的基板。

3.根據權利要求1所述低寄生電感功率模塊的封裝結構，其特征在于：所述減小整個模塊寄生電感的電容為未封裝的電容或者已封裝的分離無源器件。

4.根據權利要求1所述低寄生電感功率模塊的封裝結構，其特征在于：第二層基板粘接在第一層基板上，粘接材料為合金或者非金屬材料。

5.根據權利要求1所述低寄生電感功率模塊的封裝結構，其特征在于：第二層基板上還設有上開關管柵極電阻和下開關管柵極電阻，上開關管柵極電阻的輸入端連接上開關管的柵極，上開關管柵極電阻的輸出端連接上開關管柵極信號端子，下開關管柵極電阻的輸入端連接下開關管的柵極，下開關管柵極電阻的輸出端連接下開關管柵極信號端子。

6.根據權利要求1所述低寄生電感功率模塊的封裝結構，其特征在于：相功率端子、輸入功率端子和輸出功率端子的上半部分伸出外殼并彎折，相功率端子、輸入功率端子和輸出功率端子的頂端開有圓形或橢圓形的開孔，用于與外殼上對應設置的螺母結合。

7.根據權利要求1所述低寄生電感功率模塊的封裝結構，其特征在于：相功率端子、輸入功率端子和輸出功率端子由高導電導熱材料制成，其表面鍍金、銀、鎳或錫。

8.根據權利要求1所述低寄生電感功率模塊的封裝結構，其特征在于：外殼的頂蓋上設有用于灌膠的開孔。