[實用新型]一種用于透射電子顯微鏡的樣品載體

有效

• 申請號: 201720975570.1
• 申請日: 2017-08-07
• 公開（公告）號: CN207134325U
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 宋箭葉;顧曉芳;陳宏璘;倪棋梁;龍吟
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01J37/26
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 俞滌炯

技術領域

本實用新型涉及一種電子顯微鏡配件，尤其涉及一種透射電子顯微鏡的樣品載體。

背景技術

在半導體制造技術中，透射電子顯微鏡(TEM)分析是首先利用聚焦離子束(FIB)對樣品進行微切割取出掩埋在樣品表面的缺陷，并對其進行分析的有效的手段之一。TEM分析的使用大大提高了缺陷分析的時效性，是現在半導體工廠不可缺少的分析方法。

因FIB機臺所制備的樣品一般步驟為在晶圓上切取長方體樣品，將其轉移到樣品載體上后，通過離子刻蝕達到所需要的厚度，該厚度對于透射電子來說是相對透明的。現有的樣品載體為鋸齒狀結構，樣品可放置在鋸齒的頂端或側壁。當樣品放置在樣品載體側壁時，因為樣品的一邊沒有支撐，樣品在削薄的過程中容易因為應力作用造成彎曲從而影響后續TEM的分析。而當樣品放置在鋸齒狀的頂端時，因為沒有保護容易在載體轉移時容易造成樣品碰落的情況。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對現有技術的缺陷，提供一種能有效減少樣品跌落，并避免樣品在打薄過程中因過薄變形的用于透射電子顯微鏡的樣品載體。

本實用新型為解決上述技術問題采用以下技術方案：

一種用于透射電子顯微鏡的樣品載體，包括半圓形帶兩側左右對稱凹槽與中間的臺階狀樣品放置臺；所述樣品放置臺左右兩側分別與所述凹槽連接；所述樣品放置臺的每級臺階頂端為樣品放置處。

為了進一步優化上述技術方案，本實用新型所采取的技術措施為：

優選的，所述樣品載體為金屬鉬或銅金屬箔材質。

優選的，所述樣品載體的厚度為50um～100um。

優選的，所述臺階狀樣品放置臺為左右對稱兩級臺階狀樣品放置臺。

優選的，所述樣品放置臺用等離子體刻出每級臺階區分標號。

優選的，所述區別標號具體為：字母標記左右位置，數字標記臺階階數，左右對稱兩級臺階用A1，A2，B1，B2表示。

優選的，所述樣品載體下部設兩側為圓弧形的長方形通孔。

優選的，還包括樣品，所述樣品底部與樣品放置臺接觸部分用沉積鎢固定。

優選的，所述樣品為長方體樣品，所述長方體樣品尺寸為10um×5um×2um。

優選的，所述樣品離子刻蝕后小于100nm厚度。

本實用新型采用以上技術方案，與現有技術相比，具有如下技術效果：

本實用新型公開的電子顯微鏡的樣品載體，樣品載體設有臺階狀樣品放置臺，制備的樣品可以安放在臺階上，從而避免樣品在打薄過程中因過薄變形，并且防止樣品在轉移過程掉落。

附圖說明

圖1為現有TEM樣品載體的結構示意圖；

圖2為現有TEM樣品放在樣品載體側壁的示意圖；

圖3為現有樣品在打薄過程中因過薄變形照片；

圖4為現有TEM樣品放在樣品載體頂端的示意圖；

圖5為本實用新型的一種優選實施例的TEM樣品載體的結構示意圖；

圖6為本實用新型的一種優選實施例的TEM樣品載體的樣品放置示意圖；

圖7為本實用新型的一種優選實施例的TEM樣品載體的樣品放置照片；

圖8為本實用新型的一種優選實施例的TEM樣品載體打薄完成后的照片；

其中的附圖標記為：

1凹槽；2樣品放置臺；3樣品；4樣品放置處。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的技術方案做進一步的詳細說明。

圖1為現有TEM樣品載體的結構示意圖；圖2為現有TEM樣品放在樣品載體側壁的示意圖；圖3為現有樣品在打薄過程中因過薄變形照片；圖4為現有TEM樣品放在樣品載體頂端的示意圖；圖5為本實用新型的一種優選實施例的TEM樣品載體的結構示意圖；圖6為本實用新型的一種優選實施例的TEM樣品載體的樣品放置示意圖；圖7為本實用新型的一種優選實施例的TEM樣品載體的樣品放置照片；圖8為本實用新型的一種優選實施例的TEM樣品載體打薄完成后的照片。

參見圖5-圖7所示，在一種較佳的實施例中，示出了一種用于透射電子顯微鏡的樣品載體，其中包括半圓形帶兩側左右對稱凹槽1與中間的臺階狀樣品放置臺2；所述樣品放置臺2左右兩側分別與所述凹槽1連接；所述樣品放置臺2的每級臺階頂端為樣品放置處4

本實用新型在上述實施例中具有如下實施方式：

將樣品3放置在樣品放置臺2頂端的的樣品放置處4上，再進行離子刻蝕。

進一步，在一種較佳實施例中，所述樣品載體為金屬鉬或銅金屬箔材質。