[實用新型]一種低互調單刀雙擲同軸機電開關

有效

• 申請號: 201720969982.4
• 申請日: 2017-08-04
• 公開（公告）號: CN207068693U
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 于磊
• 申請（專利權）人: 深圳京茂磊通信科技有限公司
• 主分類號: H01H9/00
• 分類號: H01H9/00;H01P1/12
• 代理公司: 深圳華鑫元知識產權代理有限公司44404
• 代理人: 寇闖,張利梅

1.一種低互調單刀雙擲同軸機電開關，其特征在于，包括：射頻傳輸組件及連接所述射頻傳輸組件的外導體組件，所述射頻傳輸組件包括：射頻腔體、腔蓋、設置于所述腔蓋上的射頻簧片組件及復位簧片，所述腔蓋連接所述射頻腔體，所述復位簧片連接所述射頻簧片組件，所述射頻簧片組件包括射頻簧片和推桿，所述外導體組件包括外導體、內導體及連接所述外導體和內導體之間的介質撐，所述射頻腔體及腔蓋分別為鋁合金射頻腔體及鋁合金腔蓋，所述內導體和射頻簧片分別包括銀層及銀層之上的鍍金層。

2.根據權利要求1所述的低互調單刀雙擲同軸機電開關，其特征在于，所述內導體及射頻簧片電鍍銀層厚度：10～12um。

3.根據權利要求1所述的低互調單刀雙擲同軸機電開關，其特征在于，所述外導體為普通黃銅材料的外導體，所述復位簧片、內導體及射頻簧片分別為鈹青銅復位簧片、鈹青銅內導體及鈹青銅射頻簧片。

4.根據權利要求1所述的低互調單刀雙擲同軸機電開關，其特征在于，所述介質撐和推桿分別為聚醚酰胺介質撐和聚醚酰胺推桿，所述外導體包括鍍銀層及所述鍍銀層上的三元合金層。

5.根據權利要求3所述的低互調單刀雙擲同軸機電開關，其特征在于，所述外導體的鍍銀層厚度：10～12um，所述鍍銀層上的三元合金層厚度：3～5um。

6.根據權利要求1所述的低互調單刀雙擲同軸機電開關，其特征在于，所述射頻腔體及腔蓋上電鍍銀層，銀層厚度：10～12um，所述電鍍銀層進行鈍化處理。

7.根據權利要求1所述的低互調單刀雙擲同軸機電開關，其特征在于，所述外導體組件包括設置于所述射頻腔體中心的第一外導體及所述第一外導體兩側的第二外導體、第三外導體。