[實(shí)用新型]元件剝離裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720967632.4 | 申請日： | 2017-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN207398111U | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳冠縈;孫銘偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 元件 剝離 裝置 | ||
1.一種元件剝離裝置，其特征在于包含：
底座，包含底座開口及位于所述底座開口的外周圍處的多個第一頂針開口；
第一活動平臺，可升降地設(shè)在所述底座開口中；以及
多個第一活動頂針，可升降地設(shè)在所述第一頂針開口中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述第一活動平臺進(jìn)一步包含第一開口，所述元件剝離裝置進(jìn)一步包含第二活動平臺，所述第二活動平臺可相對于所述第一活動平臺上升地設(shè)在所述第一開口中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述第二活動平臺進(jìn)一步包含第二開口，所述元件剝離裝置進(jìn)一步包含第三活動平臺，所述第三活動平臺可相對于所述第二活動平臺上升地設(shè)在所述第二開口中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述第一活動平臺包含位于所述第一開口的外周圍處的多個第二頂針開口，所述元件剝離裝置進(jìn)一步包含多個第二活動頂針，且所述第二活動頂針可相對于所述第一活動平臺上升地設(shè)在所述第二頂針開口中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述第二活動平臺進(jìn)一步包含第二開口，所述元件剝離裝置進(jìn)一步包含第三活動平臺，所述第三活動平臺可相對于所述第二活動平臺上升地設(shè)在所述第二開口中，所述第二活動平臺包含位于所述第二開口的外周圍處的多個第三頂針開口，所述元件剝離裝置進(jìn)一步包含多個第三活動頂針，且所述第三活動頂針可相對于所述第二活動平臺上升地設(shè)在所述第三頂針開口中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述底座包含位于所述底座開口的外周圍處的多個吸附孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述底座的頂部是陶瓷材料，且所述陶瓷材質(zhì)具有多個毛細(xì)孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件剝離裝置，其特征在于進(jìn)一步包含氣體通道，設(shè)在所述底座中且與所述毛細(xì)孔相連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的元件剝離裝置，其特征在于進(jìn)一步包含氣體通道，設(shè)在所述底座中且與所述吸附孔相連通。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的元件剝離裝置，其特征在于進(jìn)一步包含吸力元件，連通所述氣體通道，用以對所述氣體通道內(nèi)的氣體提供抽氣力或是吹氣力。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述吸力元件是空氣幫浦。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述第一活動頂針、第二活動頂針及/或第三活動頂針的上緣包覆一層橡膠。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述第一活動頂針、第二活動頂針及/或第三活動頂針的上緣呈平滑的圓弧狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的元件剝離裝置，其特征在于其中所述底座、第一活動平臺、第二活動平臺及/或第三活動平臺包含至少一個水平凹槽。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的元件剝離裝置，其特征在于進(jìn)一步包含氣體信道，所述氣體信道位于所述底座中，所述水平凹槽的至少一端連通所述氣體通道。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的元件剝離裝置，其特征在于進(jìn)一步包含吸力元件，連通所述氣體通道，用以對所述氣體通道內(nèi)的氣體提供抽氣力或是吹氣力。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的元件剝離裝置，其特征在于所述吸力元件是空氣幫浦。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
