[實用新型]一種紅外加熱裝置及互連結構溝槽刻蝕設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720963530.5 | 申請日: | 2017-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN207134332U | 公開(公告)日: | 2018-03-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 袁鵬華;許文澤;陸啟迪 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 紅外 加熱 裝置 互連 結構 溝槽 刻蝕 設備 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種適用于互連結構溝槽刻蝕設備的紅外加熱裝置及互連結構溝槽刻蝕設備。
背景技術
目前由TEL(日本東電電子)推出的型號為VIGUS(制程腔體型號)的刻蝕機臺是一體化的互連結構溝槽刻蝕設備,互連結構溝槽刻蝕設備包括反應腔和與反應腔連通的分子泵,在生產過程中,反應腔的上部加熱控溫在150度,反應腔的下部的分子泵上沒有加熱裝置。在半導體制造過程中,有三道復雜的制程(開孔、去膠、刻槽)在同一個反應腔內完成,會產生多種副產物,其中包括氮化鈦。在使用分子泵抽取副產物時,部分副產物隨著溫度的下降會粘附在腔體下部的側壁和角落,難以通過分子泵完全排出反應腔;另外分子泵的內部也會粘附大量的副產物,隨著分子泵葉片上的附著物增多,會影響分子泵的動平衡,當動平衡低于標時,需要停機維護修理分子泵,導致設備維護成本高,互連結構溝槽刻蝕設備工作效率低。
發(fā)明內容
根據(jù)現(xiàn)有技術中存在的上述問題,現(xiàn)提供一種給互連結構溝槽刻蝕設備的分子泵加熱,避免工藝反應的副產物在分子泵的葉片上沉積,延長分子泵維護周期的紅外加熱裝置及互連結構溝槽刻蝕設備。本實用新型采用如下技術方案:
一種紅外加熱裝置,適用于互連結構溝槽刻蝕設備,所述互連結構溝槽刻蝕設備包括分子泵和設置于所述分子泵上的壓力控制閥,所述紅外加熱裝置設置于所述分子泵和所述壓力控制閥之間,所述紅外加熱裝置包括:
連接件,為環(huán)形結構,設置于所述分子泵和所述壓力控制閥之間;
多個通孔,設置于所述連接件的側壁上并且橫向貫通所述連接件的側壁;
多個加熱管,為長條狀,分別通過多個所述通孔伸入所述連接件內。
較佳的,上述紅外加熱裝置中,所述加熱管包括:
石英管,包括封閉端和開口端,所述封閉端通過所述通孔伸入所述連接件內,所述開口端位于所述連接件的外部;
紅外加熱器本體,設置于所述石英管內。
較佳的,上述紅外加熱裝置中,所述紅外加熱器本體為紅外加熱燈。
較佳的,上述紅外加熱裝置中,所述連接件與所述壓力控制閥的端面之間設置有第一密封圈。
較佳的,上述紅外加熱裝置中,于所述連接件朝向所述壓力控制閥的端面上設置有一環(huán)形的凹槽;
所述第一密封圈設置于所述凹槽內。
較佳的,上述紅外加熱裝置中,每個所述通孔內設置有臺階,所述通孔的內壁上設備有螺紋;
所述紅外加熱裝置還包括:
第二密封圈,套設于所述加熱管上并設置于所述臺階上;
鎖緊件,為環(huán)形結構,套設于所述加熱管上并通過螺紋固定在所述通孔內;
所述鎖緊件擠壓所述第二密封圈。
較佳的,上述紅外加熱裝置中,所述連接件通過螺栓固定在所述分子泵上。
較佳的,上述紅外加熱裝置中,包括兩個所述加熱管。
還包括,一種互連結構溝槽刻蝕設備,其中,包括上述任一所述的紅外加熱裝置。
上述技術方案的有益效果是:通過紅外輻射對分子泵內部加熱,避免工藝反應的副產物在分子泵的葉片上沉積,降低設備維護成本,提高互連結構溝槽刻蝕設備的工作效率。
附圖說明
圖1是本實用新型的較佳的實施例中,互連結構溝槽刻蝕設備的抽真空裝置的結構示意圖;
圖2是本實用新型的較佳的實施例中,一種紅外加熱裝置的剖面圖;
圖3是本實用新型的較佳的實施例中,一種紅外加熱裝置的俯視圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明,但不作為本實用新型的限定。
如圖1所示,為本實施例中,互連結構溝槽刻蝕設備的抽真空裝置,用于在反應前后對互連結構溝槽刻蝕設備的反應腔進行抽真空,排除反應腔室內的副產物。抽真空裝置包括分子泵1、壓力控制閥2,分子泵1與反應腔連通,用于對反應腔抽真空,壓力控制閥2設置于分子泵1和反應腔之間,用于控制抽真空過程中反應腔內的壓力。進一步地,為保證抽真空裝置的密封性,于壓力控制閥2接觸反應腔的端面上,以及于分子泵1接觸壓力控制閥2的端面上設置密封圖。為避免抽真空過程中工藝反應的副產物在分子泵1的葉片上沉積,需要在分子泵1的吸氣口處(分子泵1與壓力控制閥2之間)設置加熱裝置。
本實用新型的較佳的實施例中,如圖1-3所示,提供一種紅外加熱裝置,適用于上述互連結構溝槽刻蝕設備,紅外加熱裝置設置于分子泵1與壓力控制閥2之間,紅外加熱裝置包括:
連接件3,為環(huán)形結構,設置于分子泵1與壓力控制閥2之間;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





