[實用新型]一種超高電源抑制比功放裝置

有效

• 申請號: 201720958428.6
• 申請日: 2017-08-01
• 公開（公告）號: CN207053471U
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 林其亮;江宇晟
• 申請（專利權）人: 深圳市中移聯半導體科技有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/32;H03F1/30;H03F3/24
• 代理公司: 深圳市中聯專利代理有限公司44274
• 代理人: 李俊

1.一種超高電源抑制比功放裝置，其特征在于，包括放大器、基準電壓電路和低通電路，所述基準電壓電路連接所述低通電路，所述低通電路連接所述放大器的輸入端；其中，

所述基準電壓電路包括第一電阻R1和第二電阻R2，所述第一電阻R1的第一端連接電源，所述第一電阻R1的第二端連接第二電阻R2的第一端，所述第二電阻R2的第一端連接所述低通電路，所述第二電阻R2的第二端接地；

所述低通電路包括第一開關S1、第二開關S2和電容Cs，所述第一開關S1的第一端連接所述第二電阻R2的第一端，第一開關S1的第二端連接所述電容Cs的第一端和第二開關S2的第一端，所述第二開關S2的第二端連接所述放大器，所述電容Cs的第二端接地，所述第一開關S1和第二開關S2進行周期性的開啟和關閉并且第一開關S1和第二開關S2開啟和關閉的時序相反。

2.根據權利要求1所述的一種超高電源抑制比功放裝置，其特征在于，所述低通電路為N級架構，N≥1；其中：

當N＝1時，所述低通電路包括第一開關S1、第二開關S2和電容Cs，所述第一開關S1的第一端連接所述第二電阻R2的第一端，第一開關S1的第二端連接所述電容Cs的第一端和第二開關S2的第一端，所述第二開關S2的第二端連接所述放大器；

當N＝2時，所述低通電路包括第一開關S1、第二開關S2、第三開關S3和第一電容Cs1、第二電容Cs2，所述第二開關S2的第二端連接第二電容Cs2的第一端和第三開關的第一端；

當為N級架構的低通電路時，包括N+1個開關和N個電容，第N個開關的第二端連接第N個電容的第一端和第N+1個開關的第一端。

3.根據權利要求2所述的一種超高電源抑制比功放裝置，其特征在于，當為二級架構的低通電路，N＝2時，所述第一開關S1、第二開關S2、第三開關S3進行周期性的開啟和關閉，并且第一開關S1和第二開關S2開啟和關閉的時序相反，第二開關S2和第三開關S3開啟和關閉的時序相反；

當為N級架構的低通電路時，所述N+1個開關進行周期性的開啟和關閉，并且每相鄰的開關進行開啟和關閉的時序相反。

4.根據權利要求1所述的一種超高電源抑制比功放裝置，其特征在于，所述低通電路的等效電阻的計算公式為：

其中，C_s為電容Cs的電容值，f_CK為第一開關S1、第二開關S2開啟和關閉的頻率。