[實用新型]一種超高電源抑制比功放裝置有效
| 申請號: | 201720958428.6 | 申請日: | 2017-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN207053471U | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發明(設計)人: | 林其亮;江宇晟 | 申請(專利權)人: | 深圳市中移聯半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/26 | 分類號: | H03F1/26;H03F1/32;H03F1/30;H03F3/24 |
| 代理公司: | 深圳市中聯專利代理有限公司44274 | 代理人: | 李俊 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 超高 電源 抑制 功放 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及電子電路技術領域,特別涉及一種超高電源抑制比功放裝置。
背景技術
在功率放大器的電路中,音頻輸入經過各級放大器放大后,將放大結果與三角波進行比較,將比較器產生的方波輸入驅動電路啟動揚聲器。音頻信號在這個傳輸過程中會產生總諧波失真,并且還會受電源紋波影響。現在抑制噪聲和減少總諧波失真的辦法主要是設計精確的電路和增加大的濾波電容,從而提高芯片的電源抑制比(PSRR)和減少總諧波失真。
現有技術中,為了達到比較高的電源抑制比(PSRR)一般會采用全差動的架構來達到,而在全差動的架構下,PSRR主要的來源為用來產生差動放大器VDD/2的穩壓電路。請參閱圖1,在現有技術中一般會外掛濾波電容C來達到高PSRR的效果。但是外掛的濾波電容需要大面積的芯片和大的工作電流,成本高,設計困難;而且即使在這樣電路中也會由于信號傳輸過程中工藝不匹配、電源的紋波電壓、襯底偏置效應以及電路其他寄生效應,仍會產生一定的噪聲和總諧波失真,這些噪聲和總諧波失真量通過運算放大器、比較器和驅動電路會被放大,揚聲器上還仍會有相對較大的噪聲和總諧波失真。
已公開的中國專利CN102694514A提供了一種功放裝置,通過產出共模電壓進一步提供功放裝置整體的PSRR,共模電壓產生單元包括第三電阻和第四電阻。但是,其共模電壓產生單元也需要外接的濾波電容來抑制噪聲和減少總諧波失真,外接電容對設計成本以及芯片布局面積等都是一個很大的問題,實際使用不便。
實用新型內容
針對以上問題,本實用新型專利目的在于設計了一種超高電源抑制比功放裝置,無需外接電容即可達到高的電源抑制比,結構簡單,成本低。
本實用新型具體的技術方案如下:
一種超高電源抑制比功放裝置,包括放大器、基準電壓電路和低通電路,所述基準電壓電路連接所述低通電路,所述低通電路連接所述放大器的輸入端;其中,
所述基準電壓電路包括第一電阻R1和第二電阻R2,所述第一電阻R1的第一端連接電源,所述第一電阻R1的第二端連接第二電阻R2的第一端,所述第二電阻R2的第一端連接所述低通電路,所述第二電阻R2的第二端接地;
所述低通電路包括第一開關S1、第二開關S2和電容Cs,所述第一開關S1的第一端連接所述第二電阻R2的第一端,第一開關S1的第二端連接所述電容Cs的第一端和第二開關S2的第一端,所述第二開關S2的第二端連接所述放大器,所述電容Cs的第二端接地,所述第一開關S1和第二開關S2進行周期性的開啟和關閉并且第一開關S1和第二開關S2開啟和關閉的時序相反。
具體的,本實用新型所述低通電路為N級架構,N≥1;其中:
當N=1時,所述低通電路包括第一開關S1、第二開關S2和電容Cs,所述第一開關S1的第一端連接所述第二電阻R2的第一端,第一開關S1的第二端連接所述電容Cs的第一端和第二開關S2的第一端,所述第二開關S2的第二端連接所述放大器;
當N=2時,所述低通電路包括第一開關S1、第二開關S2、第三開關S3和第一電容Cs1、第二電容Cs2,所述第二開關S2的第二端連接第二電容Cs2的第一端和第三開關的第一端;
當為N級架構的低通電路時,包括N+1個開關和N個電容,第N個開關的第二端連接第N個電容的第一端和第N+1個開關的第一端。
具體的,本實用新型當為二級架構的低通電路,N=2時,所述第一開關S1、第二開關S2、第三開關S3進行周期性的開啟和關閉,并且第一開關S1和第二開關S2開啟和關閉的時序相反,第二開關S2和第三開關S3開啟和關閉的時序相反;
當為N級架構的低通電路時,所述N+1個開關進行周期性的開啟和關閉,并且每相鄰的開關進行開啟和關閉的時序相反。
具體的,本實用新型所述低通電路的等效電阻的計算公式為:
其中,Cs為電容Cs的電容值,fCK為第一開關S1、第二開關S2開啟和關閉的頻率。
本實用新型提供超高電源抑制比功放裝置與現有技術相比,無需外接電容即可達到高的電源抑制比,通過低通電路來產生一組假電阻,可以等效上將uF等級的電容縮小成pF等級,進而可以將傳統上的外掛電容作進芯片內部,在應用上可以節省芯片空間的同時又可以達到高電源抑制比的效果。
附圖說明
以下參照附圖對本實用新型實施例作進一步說明,其中:
圖1是本實用新型是現有技術功放電路的結構圖
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