[實用新型]一種存儲器高壓防耦合高壓泄放電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720930504.2 | 申請日： | 2017-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN206931365U | 公開（公告）日： | 2018-01-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉吉平;朱金橋;唐偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市航順芯片技術(shù)研發(fā)有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/22 | 分類號： | G11C16/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 存儲器 高壓 耦合 電路 | ||
1.一種存儲器高壓防耦合高壓泄放電路，包括相鄰的非揮發(fā)存儲器單元第一存儲單元、第二存儲單元、節(jié)點A以及節(jié)點B，所述節(jié)點A和節(jié)點B之間設(shè)有寄生電容Cg，其特征在于：所述節(jié)點A和節(jié)點B之間串聯(lián)有附屬電路，所述附屬電路包括電阻串、電壓比較器以及NMOS開關(guān)管，附屬電路設(shè)有的電阻串分壓給電壓比較器，所述電壓比較器控制NMOS開關(guān)管通斷，節(jié)點B瞬間拉低到低電平，能夠削弱Cg耦合的高電壓，保護(hù)了右邊存儲單元不會被誤寫入。
2.如權(quán)利要求1所述的一種存儲器高壓防耦合高壓泄放電路，其特征在于：所述電壓比較器輸入端分別連接電阻串節(jié)點和參考電壓端，形成電壓比較電路，所述電壓比較器的輸出端和NMOS開關(guān)管的柵極相連起到控制NMOS開關(guān)管的源極與漏極的通斷，所述NMOS開關(guān)管的源極與漏極分別與地線和節(jié)點B相連。
3.如權(quán)利要求2所述的一種存儲器高壓防耦合高壓泄放電路，其特征在于：所述電阻串設(shè)有串聯(lián)的第一電阻、第二電阻以及第三電阻，所述第三電阻為可調(diào)節(jié)電阻且接地，所述第三電阻與第二電阻連接端與電壓比較器負(fù)端連接，所述電壓比較器的正端和參考源相連形成開環(huán)電壓比較器電路。
4.如權(quán)利要求3所述的一種存儲器高壓防耦合高壓泄放電路，其特征在于：所述第一電阻、第二電阻以及第三電阻為阱電阻。
5.如權(quán)利要求2所述的一種存儲器高壓防耦合高壓泄放電路，其特征在于：所述NMOS管的寬長比大于十比一。
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