[實用新型]用聯動導電連接組件的經封裝的半導體裝置結構及子組件有效
| 申請號: | 201720913871.1 | 申請日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN207338306U | 公開(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發明(設計)人: | 明姚祥;莫哈末·哈斯盧·濱·朱基菲 | 申請(專利權)人: | 艾馬克科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京寰華知識產權代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑 |
| 地址: | 美國亞利桑那州85*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聯動 導電 連接 組件 封裝 半導體 裝置 結構 | ||
用聯動導電連接組件的經封裝的半導體裝置結構及子組件。本實用新型關于一種經封裝的半導體裝置結構,包含晶粒附接墊及配置鄰近于晶粒附接墊的多個引線,每個引線有引線底表面和引線末端表面。半導體晶粒連接至晶粒附接墊,導電夾具附接至半導體晶粒的部分與多個引線的部分且包含至少一聯結桿。封裝本體囊封半導體晶粒、導電夾具、多個引線的部分、至少一聯結桿的至少部分及晶粒附接墊的至少部分。每個引線末端表面曝露于封裝本體的側邊表面上,至少一聯結桿的末端表面曝露于封裝本體的外側。導電層置于每個引線末端表面上但未置于至少一聯結桿的末端表面上。所解決技術問題是改善經封裝的半導體裝置結構的電性效能與可靠度。所達到技術效果為提供改善的經封裝的半導體裝置結構。
技術領域
本實用新型通常相關于電子元件,特別是關于經封裝的半導體裝置結構。
背景技術
在過去,經封裝的功率半導體裝置使用各種制造技術以沉積導電材料于導電引線框架的露出部。在離散功率半導體裝置中,例如離散場效電晶體(FET)半導體裝置或二極體半導體裝置,制造業者使用矩陣引線框架,其通常包含晶粒附接墊的陣列,每個晶粒附接墊具有相鄰配置的多個引線但是所述多個引線與所述晶粒附接墊隔離。半導體晶粒被附接至所述晶粒附接墊并且使用離散的、獨立的或分離的連接結構(例如導線接合互連或夾具)電性地連接至所述引線。此子組件接著被囊封以提供模制封裝本體給每個半導體晶粒。接著,所述囊封子組件被放置在電鍍設備中并且導電材料被電鍍到所述導電引線框架的露出的表面上。在所述電鍍過程中,電流通過導電引線,其減少用以形成薄連續金屬鍍膜于所述導電引線框架的露出的表面上的溶解的金屬陽離子。
過去的方法有一個問題是,為了使電流通過整個導電引線框架,來自引線框架的相鄰部分的某些引線必須結合在一起。在所述電鍍制程之后,所述個別封裝的半導體裝置接著使用切割制程而被分隔開。所述切割制程分離所述結合的引線從而提供不具有電鍍材料的引線面或側翼(flank)表面。此留下不想要被露出的引線框架材料,其通常是銅。所述露出來的銅不與焊料附著,其產生較弱的焊料結合并且對于經組裝的電子構件的可靠性有不利的影響。
試圖去解決此問題,制造業者在所述結合的引線中鑿孔洞、在所述結合的引線中產生半蝕刻區域或在所述結合的引線中使用側邊溝槽以提供覆蓋有所述電鍍材料的某些側邊表面或側翼表面。雖然這些方案使得引線面的側邊或側翼表面具有大約20%到60%之間的可附著表面覆蓋率,然而這些方案無法提供100%的覆蓋率,并且因此還是產生劣質焊料結合。再者,這些方案無法提供所述組裝電路板層級(assembly board level)所需的足夠堅固的焊料結合保護以滿足嚴格的汽車規格,其需要100%可附著的側覆蓋率。
因此,還是期望能有一種提供經封裝的半導體裝置結構,其具有改善的所述引線的側邊和側翼表面的所述可附著表面覆蓋率。
實用新型內容
本實用新型所欲解決的技術問題是改善經封裝的半導體裝置結構的電性效能與可靠度。
根據本實用新型的一態樣,一種經封裝的半導體裝置結構,包含:晶粒附接墊;多個引線,其配置鄰近于所述晶粒附接墊,每個引線具有引線底表面和引線末端表面;半導體晶粒,其耦合至所述晶粒附接墊;導電夾具,其附接至所述半導體晶粒的部分且附接至所述多個引線的部分,其中所述導電夾具包含至少一個聯結桿;封裝本體,其囊封所述半導體晶粒、所述導電夾具、所述多個引線的部分、所述至少一個聯結桿的至少部分以及所述晶粒附接墊的至少部分,其中每個引線末端表面被曝露于所述封裝本體的側邊表面上,且其中所述至少一個聯結桿的末端表面被曝露于所述封裝本體的外側;以及導電層,其配置于所述每個引線末端表面上但是沒有配置于所述至少一個聯結桿的所述末端表面上。
在一實施例中,所述經封裝的半導體裝置結構進一步包括導電連接結構,其電性連接所述半導體晶粒的另一部分至所述多個引線的中的一個。
在一實施例中,所述晶粒附接墊的底表面被曝露于所述封裝本體的外側;以及所述導電層配置在所述晶粒附接墊的所述底表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





