[實(shí)用新型]用聯(lián)動(dòng)導(dǎo)電連接組件的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及子組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720913871.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207338306U | 公開(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 明姚祥;莫哈末·哈斯盧·濱·朱基菲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 艾馬克科技公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京寰華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑 |
| 地址: | 美國(guó)亞利桑那州85*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聯(lián)動(dòng) 導(dǎo)電 連接 組件 封裝 半導(dǎo)體 裝置 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,包含:
晶粒附接墊;
多個(gè)引線,其配置鄰近于所述晶粒附接墊,每個(gè)引線具有引線底表面和引線末端表面;
半導(dǎo)體晶粒,其耦合至所述晶粒附接墊;
導(dǎo)電夾具,其附接至所述半導(dǎo)體晶粒的部分且附接至所述多個(gè)引線的部分,其中所述導(dǎo)電夾具包含至少一個(gè)聯(lián)結(jié)桿;
封裝本體,其囊封所述半導(dǎo)體晶粒、所述導(dǎo)電夾具、所述多個(gè)引線的部分、所述至少一個(gè)聯(lián)結(jié)桿的至少部分以及所述晶粒附接墊的至少部分,其中每個(gè)引線末端表面被曝露于所述封裝本體的側(cè)邊表面上,且其中所述至少一個(gè)聯(lián)結(jié)桿的末端表面被曝露于所述封裝本體的外側(cè);以及
導(dǎo)電層,其配置于所述每個(gè)引線末端表面上但是沒有配置于所述至少一個(gè)聯(lián)結(jié)桿的所述末端表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,進(jìn)一步包括導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu),其電性連接所述半導(dǎo)體晶粒的另一部分至所述多個(gè)引線的中的一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述晶粒附接墊的底表面被曝露于所述封裝本體的外側(cè);以及
所述導(dǎo)電層配置在所述晶粒附接墊的所述底表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)電層配置在所述多個(gè)引線的每個(gè)引線底表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)電層100%覆蓋所述每個(gè)引線末端表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)電層包含錫。
7.一種經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
晶粒附接墊;
多個(gè)引線,其配置鄰近于所述晶粒附接墊,每個(gè)引線具有引線底表面和引線末端表面;
半導(dǎo)體晶粒,其耦合至所述晶粒附接墊;
導(dǎo)電夾具,其附接至所述半導(dǎo)體晶粒且附接至所述多個(gè)引線中的一個(gè)或多個(gè)引線,其中所述導(dǎo)電夾具包含第一聯(lián)結(jié)桿,所述第一聯(lián)結(jié)桿附接至所述導(dǎo)電夾具的第一側(cè)邊;
封裝本體,其囊封所述半導(dǎo)體晶粒、所述導(dǎo)電夾具、所述多個(gè)引線的部分、所述第一聯(lián)結(jié)桿的至少部分以及所述晶粒附接墊的至少部分,其中每個(gè)引線末端表面被曝露于所述封裝本體的側(cè)邊表面上,且其中所述第一聯(lián)結(jié)桿的末端表面被曝露于所述封裝本體的外側(cè);以及
導(dǎo)電層,其配置于所述每個(gè)引線末端表面上但是沒有配置于所述第一聯(lián)結(jié)桿的所述末端表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述晶粒附接墊的底表面和所述引線底表面被曝露于所述封裝本體的外側(cè);以及
所述導(dǎo)電層配置在所述晶粒附接墊的所述底表面上且配置在所述引線底表面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述導(dǎo)電夾具包括第二聯(lián)結(jié)桿,所述第二聯(lián)結(jié)桿附接至所述導(dǎo)電夾具的與所述第一側(cè)邊相對(duì)的第二側(cè)邊;
所述第二聯(lián)結(jié)桿的末端表面被曝露于所述封裝本體的外側(cè);以及
所述導(dǎo)電層不配置在所述第二聯(lián)結(jié)桿的末端表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述導(dǎo)電層100%覆蓋所述每個(gè)引線末端表面;以及
所述第一聯(lián)結(jié)桿的所述末端表面被曝露于所述封裝本體的未有引線曝露的側(cè)邊表面上。
11.一種經(jīng)封裝的半導(dǎo)體裝置子組件,其特征在于,包括:
第一導(dǎo)電框架結(jié)構(gòu)包含:
第一晶粒附接墊;
第二晶粒附接墊,其與所述第一晶粒附接墊分隔開;
第一引線,其配置鄰近所述第一晶粒附接墊;以及
第二引線,其配置鄰近所述第二晶粒附接墊;
第一半導(dǎo)體晶粒,其附接至所述第一晶粒附接墊;
第二半導(dǎo)體晶粒,其附接至所述第二晶粒附接墊;
第二導(dǎo)電框架結(jié)構(gòu)包含:
第一導(dǎo)電夾具結(jié)構(gòu),其附接至所述第一半導(dǎo)體晶粒且附接至所述第一引線;以及
第二導(dǎo)電夾具結(jié)構(gòu),其附接至所述第二半導(dǎo)體晶粒,其中所述第一導(dǎo)電夾具結(jié)構(gòu)以聯(lián)結(jié)桿結(jié)構(gòu)來(lái)物理性地互連至所述第二導(dǎo)電夾具結(jié)構(gòu);以及
封裝本體,其囊封所述第一半導(dǎo)體晶粒、所述第一導(dǎo)電夾具結(jié)構(gòu)、所述第二半導(dǎo)體晶粒、所述第二導(dǎo)電夾具結(jié)構(gòu)以及所述聯(lián)結(jié)桿結(jié)構(gòu)的至少部分。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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