[實(shí)用新型]全自動(dòng)擴(kuò)膜機(jī)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720913329.6
• 申請(qǐng)日: 2017-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN207097786U
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏峰;蔡家豪;馬建華;吳釗;陳明浩;魏瑩;王亞杰;邱智中;張家宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種自動(dòng)夾取片源、放置片源，檢測(cè)擴(kuò)膜歪異常，調(diào)節(jié)晶粒位置及控制擴(kuò)膜大小的全自動(dòng)擴(kuò)膜機(jī)。

背景技術(shù)

目前常規(guī)晶粒的制作方法為：提供一襯底，在襯底通過(guò)MOCVD方法進(jìn)行外延沉積形成外延片，然后將外延片切割成多個(gè)陣列的晶粒，晶粒置于藍(lán)膜或者白膜上，為了便于后續(xù)將不同規(guī)格的晶格進(jìn)行分選，需先將藍(lán)膜或者白膜通過(guò)擴(kuò)膜機(jī)拉伸，使其上晶粒的間距擴(kuò)大。

目前常用的擴(kuò)膜機(jī)需人工操作的部分較多，例如手動(dòng)放片和取片，并且因無(wú)檢測(cè)擴(kuò)膜尺寸機(jī)構(gòu)而導(dǎo)致擴(kuò)膜效率降低，產(chǎn)生異常片源續(xù)流，降低良率的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型公開了全自動(dòng)擴(kuò)膜機(jī)，至少包括平臺(tái)，位于所述平臺(tái)上的進(jìn)料區(qū)、擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)、出料區(qū)，以及主控單元，所述擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)位于進(jìn)料區(qū)和出料區(qū)的中間，所述進(jìn)料區(qū)和出料區(qū)分別放置有存放晶片的第一料盒和第二料盒，所述主控單元控制擴(kuò)膜機(jī)的運(yùn)作，其特征在于：還包括第一夾取機(jī)構(gòu)和第二夾取機(jī)構(gòu)，所述第一夾取機(jī)構(gòu)的頂端包括感應(yīng)晶片位置的第一感應(yīng)裝置，所述第二夾取機(jī)構(gòu)頂端包括吸附晶片的真空吸附裝置，所述擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)上設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)感應(yīng)擴(kuò)膜尺寸的第二感應(yīng)裝置，所述擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)上方還設(shè)置有掃描裝置以及抓取晶粒的第三夾取機(jī)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述第一感應(yīng)裝置、第二感應(yīng)裝置均為光電感應(yīng)裝置。

優(yōu)選的，所述第一感應(yīng)裝置、第二感應(yīng)裝置均包括一光源和一傳感器

優(yōu)選的，所述擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)至少包括放置晶片的載臺(tái)，以及置于所述載臺(tái)上方的下壓環(huán)。

優(yōu)選的，所述第二感應(yīng)裝置包括分布于載臺(tái)外周的復(fù)數(shù)個(gè)傳感器和分布于所述下壓環(huán)上的復(fù)數(shù)個(gè)光源，所述光源與傳感器位置對(duì)應(yīng)。

優(yōu)選的，所述下壓環(huán)上設(shè)置有呈“十”字排列的滑軌，所述復(fù)數(shù)個(gè)光源置于所述滑軌上，并沿滑軌移動(dòng)。

優(yōu)選的，所述第二感應(yīng)裝置的數(shù)目大于或等于4。

優(yōu)選的，所述第三夾取機(jī)構(gòu)頂端具有吸附晶粒的吸嘴。

優(yōu)選的，所述掃描裝置為CCD。

本實(shí)用新型在現(xiàn)有擴(kuò)膜機(jī)的基礎(chǔ)上，進(jìn)行改進(jìn)，增設(shè)第一夾取機(jī)構(gòu)、第二夾取機(jī)構(gòu)、第三夾取機(jī)構(gòu)和掃描裝置以及在擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)上設(shè)置光電感應(yīng)裝置，從而實(shí)現(xiàn)擴(kuò)膜機(jī)的自動(dòng)夾取片源、放置片源，檢測(cè)擴(kuò)膜歪異常，調(diào)節(jié)晶粒位置及控制擴(kuò)膜大小的功能，形成全自動(dòng)擴(kuò)膜機(jī)。從而節(jié)省人力、減少異常片源續(xù)流，提高良率。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型之全自動(dòng)擴(kuò)膜機(jī)側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型之下壓環(huán)俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型之載臺(tái)俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)注：10.平臺(tái)；20.擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)；21.載臺(tái)；211.傳感器；22.下壓環(huán)；221.光源；222.滑軌；30.主控單元；41.第一料盒；42.第二料盒；50.第一夾取機(jī)構(gòu)；51.第一感應(yīng)裝置；60.第二夾取機(jī)構(gòu)；61.真空吸附裝置；70.掃描裝置；80.第三夾取機(jī)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。

實(shí)施例1

參看附圖1，本實(shí)用新型公開了全自動(dòng)擴(kuò)膜機(jī)，至少包括平臺(tái)10，位于平臺(tái)10上的進(jìn)料區(qū)、擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)20、出料區(qū)，以及主控單元30，擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)20位于進(jìn)料區(qū)和出料區(qū)的中間，進(jìn)料區(qū)和出料區(qū)分別放置有存放晶片的第一料盒41和第二料盒42，主控單元30控制擴(kuò)膜機(jī)的運(yùn)作，其還包括第一夾取機(jī)構(gòu)50和第二夾取機(jī)構(gòu)60，第一夾取機(jī)構(gòu)50的頂端包括感應(yīng)晶片位置的第一感應(yīng)裝置51，第二夾取機(jī)構(gòu)60頂端包括吸附晶片的真空吸附裝置61，擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)20上方還設(shè)置有掃描裝置70以及抓取晶粒的第三夾取機(jī)構(gòu)80。第三夾取機(jī)構(gòu)80頂端具有吸附晶粒的吸嘴81。第一感應(yīng)裝置51為光電感應(yīng)裝置，由光源和傳感器組成。掃描裝置70為CCD。擴(kuò)膜機(jī)構(gòu)20至少包括放置晶片的載臺(tái)21，以及置于載臺(tái)21上方的下壓環(huán)22。晶片則是有復(fù)數(shù)個(gè)陣列的晶粒粘附于藍(lán)膜或者白膜上形成，擴(kuò)膜即拉伸藍(lán)膜或者白膜，使晶粒之間的間距增大。