[實(shí)用新型]一種刻蝕設(shè)備的上電極安裝結(jié)構(gòu)以及刻蝕設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720911926.5
• 申請(qǐng)日: 2017-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN207489814U
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁鵬華;潘無忌;劉東升;朱駿;張旭升
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本實(shí)用新型公開了一種刻蝕設(shè)備的上電極安裝結(jié)構(gòu)以及刻蝕設(shè)備，屬于集成電路制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括冷卻盤和上電極，于冷卻盤接觸上電極的一面上設(shè)置兩個(gè)同心的環(huán)形的凹槽，凹槽的開口處朝向上電極，每個(gè)凹槽的橫截面包括垂直壁和傾斜壁，上電極安裝結(jié)構(gòu)還包括兩個(gè)唇型密封圈，分別設(shè)置于兩個(gè)凹槽內(nèi)；唇型密封圈的本體部分與凹槽適配，唇部接觸上電極，唇部開口朝向凹槽的垂直壁。上述技術(shù)方案的有益效果是：在冷卻盤和上電極之間設(shè)置唇型密封圈，由于唇型密封圈的中間有間隙，受熱時(shí)其形變方向朝向唇型開口的內(nèi)側(cè)，使得在具有相同密封效果的情況下，上電極的受力較原先使用O型密封圈時(shí)小，減小上電極與冷卻盤之間的間隙，提高熱傳導(dǎo)效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種刻蝕設(shè)備的上電極安裝結(jié)構(gòu)以及刻蝕設(shè)備。

背景技術(shù)

在目前的半導(dǎo)休器件的制造過程中薄膜刻蝕有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，對(duì)于一般的a-Si、SiNx、SiOx，以及一些金屬膜的刻蝕多采用干法刻蝕。干法刻蝕設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分，工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室，工藝氣體被導(dǎo)入反應(yīng)室并在工件表面發(fā)生反應(yīng)。其中反應(yīng)室內(nèi)設(shè)置有冷卻盤和上電極，上電極上設(shè)置有許多細(xì)孔，作為工藝氣體進(jìn)入反應(yīng)室的通路，另外上電極還與設(shè)置在反應(yīng)室內(nèi)下部電極板配合施加偏向磁場(chǎng)，增加工藝氣體中等離子體的密度，冷卻盤與上電極之間熱傳導(dǎo)，用于對(duì)上電極降溫。為改善晶圓表面刻蝕速率的均一性，通常會(huì)在冷卻盤和上電極之間設(shè)置一密封圈，分隔中央和邊緣的工藝氣體。

但是，現(xiàn)有技術(shù)中，冷卻盤和上電極之間的密封圈為O型密封圈，在受熱時(shí)O型密封圈向四周膨脹，擠壓上電極，增加上電極與冷卻盤之間的間隙，使上電極與冷卻盤之間的熱傳導(dǎo)效率下降，影響上電極的工作效率，進(jìn)而降低晶圓表面刻蝕速率的均一性。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，現(xiàn)提供一種刻蝕設(shè)備的上電極安裝結(jié)構(gòu)，包括冷卻盤和設(shè)置于所述冷卻盤上的上電極，于所述冷卻盤接觸所述上電極的一面上設(shè)置兩個(gè)同心的環(huán)形的凹槽，所述凹槽的開口處朝向所述上電極，每個(gè)所述凹槽的橫截面包括一垂直壁和一從所述凹槽的開口處朝向底部逐漸擴(kuò)大的傾斜壁，所述傾斜壁與所述凹槽開口處和底部之間通過弧線圓滑的連接，所述上電極安裝結(jié)構(gòu)還包括兩個(gè)唇型密封圈，分別設(shè)置于兩個(gè)所述凹槽內(nèi)；

所述唇型密封圈包括：

本體，包括與所述凹槽適配的傾斜部和垂直部；

唇部，于所述凹槽的開口處連接于所述傾斜部上；

所述唇部與所述本體構(gòu)成一唇部開口，所述唇部開口朝向所述凹槽的垂直壁。

較佳的，上述上電極安裝結(jié)構(gòu)中，于所述本體的垂直部靠近所述凹槽的底部的位置設(shè)置一倒角。

較佳的，上述上電極安裝結(jié)構(gòu)中，所述唇型密封圈的唇部開口方向朝向于所述唇型密封圈的圓心。

較佳的，上述上電極安裝結(jié)構(gòu)中，所述唇型密封圈的唇部開口角度為 30～45度。

較佳的，上述上電極安裝結(jié)構(gòu)中，所述凹槽的傾斜壁與豎直方向上的夾角為30度。

較佳的，上述上電極安裝結(jié)構(gòu)中，于所述唇型密封圈的傾斜部水平設(shè)置一第一密封凸起。

較佳的，上述上電極安裝結(jié)構(gòu)中，于所述唇型密封圈的垂直部水平設(shè)置一第二密封凸起。

還包括，一種刻蝕設(shè)備，其中，包括上述任一所述的上電極安裝結(jié)構(gòu)。

上述技術(shù)方案的有益效果是：在冷卻盤和上電極之間設(shè)置唇型密封圈，由于唇型密封圈的中間有間隙，受熱時(shí)其形變方向朝向唇型開口的內(nèi)側(cè)，使得在具有相同密封效果的情況下，上電極的受力較原先使用O型密封圈時(shí)小，減小上電極與冷卻盤之間的間隙，提高熱傳導(dǎo)效率。

附圖說明