[實用新型]一種刻蝕設備的上電極安裝結構以及刻蝕設備

有效

• 申請號: 201720911926.5
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN207489814U
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 袁鵬華;潘無忌;劉東升;朱駿;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種刻蝕設備的上電極安裝結構，包括冷卻盤和設置于所述冷卻盤上的上電極，于所述冷卻盤接觸所述上電極的一面上設置兩個同心的環形的凹槽，所述凹槽的開口處朝向所述上電極，每個所述凹槽的橫截面包括一垂直壁和一從所述凹槽的開口處朝向底部逐漸擴大的傾斜壁，所述傾斜壁與所述凹槽開口處和底部之間通過弧線圓滑的連接，其特征在于，所述上電極安裝結構還包括兩個唇型密封圈，分別設置于兩個所述凹槽內；

所述唇型密封圈包括：

本體，包括與所述凹槽適配的傾斜部和垂直部；

唇部，于所述凹槽的開口處連接于所述傾斜部上；

所述唇部與所述本體構成一唇部開口，所述唇部開口朝向所述凹槽的垂直壁。

2.如權利要求1所述的上電極安裝結構，其特征在于，于所述本體的垂直部靠近所述凹槽的底部的位置設置一倒角。

3.如權利要求1所述的上電極安裝結構，其特征在于，所述唇型密封圈的唇部開口方向朝向于所述唇型密封圈的圓心。

4.如權利要求1所述的上電極安裝結構，其特征在于，所述唇型密封圈的唇部開口角度為30～45度。

5.如權利要求1所述的上電極安裝結構，其特征在于，所述凹槽的傾斜壁與豎直方向上的夾角為30度。

6.如權利要求1所述的上電極安裝結構，其特征在于，于所述唇型密封圈的傾斜部水平設置一第一密封凸起。

7.如權利要求1所述的上電極安裝結構，其特征在于，于所述唇型密封圈的垂直部水平設置一第二密封凸起。

8.一種刻蝕設備，其特征在于，包括如權利要求1-7中任一所述的上電極安裝結構。